Релаксаційні процеси у субмікронних гетеротранзисторах з системою квантових ям
Бічна панель сторінки статті
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У роботі наведено аналіз релаксаційних процесів у субмікронних гетероструктурних транзисторах з системою квантових ям. Розроблено методики моделювання наногетероструктур з урахуванням квантових ефектів та специфічних для потрійних сполук механізмів розсіяння. На основі системи релаксаційних рівнянь проведено моделювання субмікронних гетероструктур з квантовими ямами. При моделюванні, крім оптичних, акустичних, міждолинних і домішкових механізмів розсіяння, враховано розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі. Розраховано часи релаксації для розсіювання на сплавному деформаційному потенціалі і враховано вплив на полешвидкісні і вихідні характеристики субмікронного гетероструктурного транзистора.
Бібл. 13, рис. 19.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
T. Suemitsu, «InP and GaN high electron mobility transistors for millimeter-wave application,» IEICE 2015 Electronics Express, vol. 12, no. 13, pp. 1-12, 2015. DOI: 10.1587/elex.12.20152005
M. Navid, A. Anjum, Sharadindu Gopal Kirtania, A. Farhana, A. Md. Kawsar та Quazi Deen Mohd Khosru, «High Electron Mobility Transistors: Performance Analysis, Research Trend and Applications,» in Different Types of Field-Effect Transistors Intech open science, pp. 45-64, 2017. DOI: 10.5772/67796
M. A. Alim, Ali A Rezazadeh, Norshakila Haris та C. Gaquiere, «Anomaly and Intrinsic Capacitance Behaviour Over Temperature of AlGaN/GaN/SiC and AlGaAs/GaAs HEMTs for Microwave Application,» в Proceedings of the 11th European Microwave Integrated Circuits Conference. 2016 EuMA, London, UK, 3–4 Oct 2016. DOI: 10.1109/EuMIC.2016.7777512
N. Zagni, Francesco Maria Puglisi, Giovanni Verzellesi та Paolo Pavan, «Threshold Voltage Statistical Variability and Its Sensitivity to Critical Geometrical Parameters in Ultrascaled InGaAs and Silicon FETs,» IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, vol. 6, no. 11, pp. 4607-4614, 2017. DOI: 10.1109/TED.2017.2754323
M. Fallahnejad, Alireza Kashaniniya та Mehdi Vadizadeh, «Design and Simulation Noise Characteristics of AlGaN/GaN HEMT on SIC Substrate for Low Noise Applications,» IOSR Journal of Electrical and Electronics Engineering (IOSR-JEEE) e-ISSN: 2278-1676,p-ISSN: 2320-3331, vol. 10, no. 3.Ver.II(May–Jun.2015), pp. 31-37, 2015. DOI: 10.9790/1676-10323137
F. Li, L. H. Qing та D. P. Klemer, «Numerical Simulation of High Electron Mobility Transistors based on the Spectral Element Method,» ACES JOURNAL, vol. 31, no. 10, pp. 1144-1150, 2016. URL: https://aces-society.org/includes/downloadpaper.php?of=ACES_Journal_October_2016_Paper_1&nf=16-10-1
V. Moskaliuk, V. Timofeev та A. Fedyay, Ultra-high-speed electronic devices, Saarbrucken, Germany: LAP LAMBERT Academic Publishing, 2014.
A. Ya. Shyk, L. H. Bakuva,S. F. Musikhin, S. A. Rykov , Fizika nizkorazmernykh sistem [Physics of low-dimensional systems], st.Peterburg: Nauka, 2001, p. 160.
V. I. Zubkov, «Modelirovaniye vol't-faradnykh kharakteristik geterostruktur s kvantovymi yamami s pomoshch'yu samosoglasovannogo resheniya uravneniy Shredingera i Puassona [Simulation of the capacitance-voltage characteristics of heterostructures with quantum wells using self-consistent solution of the Schrödinger and Poisson equations],» SEMICONDUCTORS/PHYSICS OF THE SOLID STATE, vol. 40, no. 10, pp. 1236-1240, 2006. URL: http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/6173
L. D. Landau, E. M. Livshyts, Teoreticheskaya fizika: Kvantovaya mekhanika. Nerelyativistskaya teoriya [Theoretical physics: Quantum mechanics. Nonrelativistic theory] vol. 3, Moskow.: Nauka, 1989, p. 766.
V. P. Dragunov, I. G. Neivestnyi, V. A. Hridchyn, Osnovy nanoelektroniki [Basics of nanoelectronics], Moskow.: Lohos, 2006, p. 496.
V. Timofeyev та E. Faleyeva, «Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots,» 2014 IEEE 34th International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO), Kiev, Ukraine, April 15-18, 2014, pp. 115-118, 2014. DOI: 10.1109/ELNANO.2014.6873949
К. Kulikov, I. Baida, V. Moskaliuk та V. Timofeyev, «Conductance Cutoff of A3B5 Nitrides at High-Frequency Region,» 2018 IEEE 38th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO), pp. 101-105., 2018. DOI: 10.1109/ELNANO.2018.8477497
