Імпульсні транспортні властивості трінітрідів

К. К. Боль, В. А. Москалюк

Анотація


Використовуючи релаксаційні рівняння балансу енергії, імпульсу і заселеності долин проведено моделювання нестаціонарного ефекту «сплеску» швидкості дрейфу в трінітрідах (AIIIN). Показана можливість багаторазового перевищення швидкості над стаціонарними значеннями.

Бібл. 3, рис. 2, табл. 1.


Ключові слова


багатодолинні напівпровідники; нітриди алюмінію; галію; індію; «сплеск» дрейфовой швидкості; часи релаксації імпульсу; енергії; міждолинне релаксації

Повний текст:

PDF (Русский)

Посилання


Bol K.K., Moskaliuk V.A. (2013), “Modeling of velocity “overshoot” in the multivalley semiconductors” Proceedings of the XXXIII International Scientific Conference ELNANO-2013, pp 123-125.

Shur М. (1987), “GaAs Devices and Circuits”, Plenum Press, New York and London, p. 632.

Shur М. (1999), “Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN”, American Institute of Physics.

Seeger К. (1973), “Semiconductor Physics”, Wein: Springer-Verlag, p. 616.

Moskaliuk V.A. (2004), “Physics of Electron Processes. Dynamic Processes”, Textbook, Kyiv: Polіtehnіka, p. 180. (Rus)


Пристатейна бібліографія ГОСТ






DOI: http://dx.doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38778

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


Copyright (c) 2015 Електроніка та зв'язок

Creative Commons License
Ця робота ліцензована Creative Commons Attribution 4.0 International License.