[1]
Kulikov, K.V., Moskaliuk, V.O. і Tymofieiev, V.I. 2019. Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях. Мікросистеми, Електроніка та Акустика. 24, 3 (Чер 2019), 20–32. DOI:https://doi.org/10.20535/2523-4455.2019.24.3.178841.