[1]
K. V. Kulikov, V. O. Moskaliuk, і V. I. Tymofieiev, «Високочастотні властивості GaN, AlN та InN у сильних полях», Мікросист., Електрон. та Акуст., вип. 24, вип. 3, с. 20–32, Чер 2019.