Температурні властивості напівпровідникових резонансних структур з електронним керуванням
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Розглянуто p-i-n діоди як багатошарові електродинамічні системи. Показано, що в таких системах можливе виникнення електромагнітного резонансу E-типу. На основі цього підходу отримано аналітичні вирази для оцінювання температурних залежностей параметрів таких приладів. Експериментально досліджено температурні властивості резонансних систем на основі p-i-n діодів, виготовлених із кремнію та арсеніду галію, а саме залежність резонансної частоти і власної добротності від температури в міліметровому діапазоні довжин хвиль. Показано доцільність використання p-i-n діодів як керованих резонансних структур у надвисокочастотному діапазоні.
Бібл. 5, рис. 3, табл. 1.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Poplavko Y., Molchanov V., Pashkov V., Furman E., Lanagan M. (2007), “Frequency tunable micro-wave dielectric devices”. Telecommunication and Radio Engineering, Begell House Press, USA. Vol.66, Issue 15, pp. 1371–1379.
Voronkin A.S. (2008), “The automated simulation of parameters of passive lumped elements and line-building-out networks in RF/UHF devices”. Luhansk, Visnyk Skhidnoukrainskoho natsionalnoho uni-versytetu imeni Volodymyra Dalia. Vol. 1Е [Online resource]. http://nbuv.gov.ua/e-journals/Vsunud/2008-1E/08vassvp.htm. (Rus)
Molchanov V.I., Pashkov V.M., Tatarchuk D.D. (2000), “The semiconductor combined structures with E-type dielectric resonance”. Electronics and Communications. Vol. 9, pp. 55–58. (Ukr)
Molchanov V.I., Pashkov V.M., Tatarchuk D.D., Yeremenko A.V. (2003), “The semiconductor resonant structures with electronic control”. Electronics and Communications. Vol. 19, pp. 17–19. (Ukr)
Tatarchuk D.D., Molchanov V.I., Didenko Yu.V., Franchuk A.S. (2013), “The resonance properties of p-i-n-diodes in the UHF range”. Visnyk KhNTU. Vol. 2(47), pp. 339–342. (Ukr)
