Наногетероепітаксіальние структури з квантовими точками, отримані методом рідиннофазної епітаксії на основі GaP
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Описано метод отримання наногетероструктур з масивами квантових точок в процесі рідиннофазної епітаксії при імпульсному охолодженні і нагріванні підкладки. Наведено експериментальні результати по вирощуванню гетероструктур на основі GaP з квантовими точками Ge, InAs та дослідженню їх параметрів за допомогою атомно-силової мікроскопії та фотолюмінесценції.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Cuadra L., Marti A., Lopez N., 3rd World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Osaka, Japan, May 11-18, 2003, PCD IPL-B2-01.
Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., и др. // ФТП. 1998. Т. 32. № 4.
Norman A.G., Hanna M.C., Dippo P., Levi D.H., Reedy R.C., Ward J.S., and Al-Jassim M.M. InGaAs/GaAs QD Superlattices: MOVPE Growth, Structural and Optical Characterization, and Application in Intermediate- Band Solar Cells, Prepared for the 31IEEE Photovoltaics Specialists Conference and Exhibition Lake Buena Vista, Florida January 3–7, 2005 February 2005 • NREL/CP-520-37405
Марончук И.Е., Кулюткина Т.Ф., Шорохов А.В. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. № 20.
Dubrovskij V.G. Teoriya formirovaniya epitaksial'nyh struktur. [ Theory of the formation of epitaxial structures], Moscow:FIZMATLIT, 2009, p. 350
I.E. Maronchuk, A.I. Maronchuk, T.F. Kulyutkina, M.V. Najdenkova, I.V.CHornyj “Formirovanie kvantovyh tochek v processe zhidkofaznoj epitaksii metodom impul'snogo ohlazhdeniya nasyshchennogo rastvora-rasplava [Formation of quantum dots in the process of liquid-phase epitaxy by the method of pulse cooling of a saturated solution-melt]”, Poverhnost', rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniya, no.12, pp. 97-101, 2005
Frenkel' YA.I. Vvedenie v teoriyu metallov [Introduction to the theory of metals], Leningrad: Nauka, 1972, 369 с.
Cánovas E., Martí A., Fuertes D., Proceedings 23rd European Photovoltaic Solar Energy Con ference, 1-5 September, 1CV.1.21 (2008), Valencia, Spai Sakato I., Kawanami H. Band Discontinuities in Gallium Phosphide/Crystalline Silicon Hetero- junctions Studied by Internal Photoemission, Applied Physics Express 1 (2008) 091201
Smirnov S.B., Maronchuk I.E., Maronchuk I.I., Petrash A.N. “Raschet energeticheskogo spektra S-elektronov sfericheskoj kvantovoj tochki na osnove uzkozonnyh poluprovodnikovyh soedinenij AIIIBV v matrice GaP [Calculation of the energy spectrum of S-electrons of a spherical quantum dot based on narrow-gap semiconductor IIIIBV compounds in a GaP matrix]”, Sbornik nauchnih trudov SNUYAEiP. Vol.37, No.1, pp. 164-168, 2011
