Особливості технології виробництва фотоелектричних перетворювачів з наскрізним емітером
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Концепція фотоелектричного перетворювача (ФЕП) з наскрізним емітером включає збирає носії заряду і покриває всю лицьову поверхню р-n перехід, який контактує через численні отвори з тильною металізацією. Технологію виготовлення ФЕП зі наскрізним емітером адаптували до існуючого обладнання виробництва стандартних кремнієвих сонячних елементів. Візуалізація працездатності ФЕП було здійснено методом електролюмінесценції.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Peters С., “Alba-development of highefficiency multi-crystalline Si EWT solar cellsfor industrial fabrication at Q-Cells”, in Proc. 23rdEU PVSEC, pp. 1010–1013.
S. . Hermann, “21.4% -efficient emitterwrap-through RISE solar cell on large area andpicoseconds laser processing of local contactopenings”, in Proc. 22nd EU PVSEC, Milan, pp. 970–975.
H. Haverkamp, “Screen printed EWT cells:limitation and alternative approaches to themanufacturing process”, in Proc. 23rd EU PVSEC, Valencia, Spain, pp. 1945–1948.
A. Kitiyanan, “Complementary analysis ofcrystalline defects in Si solar cells by electroluminescence imaging combining forward and reverse bias condition”, in Proc. 23rd EU PVSEC, pp. 1503–1505.
J. Dolensky, “Generation and behaviourmicroplasma in solar cell”, in Proc. 23rd EUPVSEC, Valencia, Spain, pp. 350–352.
J. Vanek, “Micro-plasma noise signal used in solar cells diagnostic”, in roc. 22nd EU PVSEC, Milan, Italy, pp. 242–245.
