САМОТОВКА, Л. .; САМОТОВКА, В. . Моделі параметрів напівпровідникової структури p-n переходом засновані на застосуванні функцій Бесселя. Електроніка та Зв’язок, [S. l.], v. 16, n. 3, p. 28–31, 2011. DOI: 10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209. Disponível em: http://elc.kpi.ua/old/article/view/264209. Acesso em: 28 бер. 2024.