Кластерна модель утворення нітриду алюмінію в нанореакторах оксиду алюмінію

Бічна панель сторінки статті

Опубліковано: Mar 31, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244508
Ключові слова:
кластери, нанореактори, оксид алюмінію, нітрид алюмінію

Основний зміст сторінки статті

В.І. Глотов
П.В. Деминский
Н.О. Ляхова
І.В. Масол
В.І. Осінский

Анотація

Запропоновано та реалізовано нетрадиційний метод отримання кластерів гетерогенних та гомогенних наноструктур оксидівнітридів алюмінію шляхом заміщення частини атомів кисню низькоенергетичними іонами азоту у твердій фазі всередині нанопор оксиду алюмінію Al2O3 (наносапфіру). Експериментально отримані наношари AlN, AlNxO1-x, Al2O3 та показана можливість заміщення атомів кисню атомами азоту при порівняно низькій температурі та енергії іонів, необхідної для розриву в достатню кількість хімічних зв'язків Al-O і вбудовування атомів азоту в плівку з освітою локальних фаз AlN, AlNxO1-x

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Глотов, В. ., Деминский, П. ., Ляхова, Н. ., Масол, І. ., & Осінский, В. . (2011). Кластерна модель утворення нітриду алюмінію в нанореакторах оксиду алюмінію. Електроніка та Зв’язок, 16(4). https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.4.244508
Номер
Том 16 № 4 (2011)
Розділ
Наноструктури і нанотехнології в електроніці
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

V. Y. Osynskyi, O. D. Diachenko, and P. V. Demynskyi, “ Upravlenie svojstvami slozhnyh III-oksidnyh nanokristallicheskih elementov v tekhnologii optoelektronnyh priborov na nitridah galliya, indiya i alyuminiya [Controlling the properties of complex III-oxide nanocrystalline elements in the technology of optoelectronic devices based on gallium, indium and aluminum nitrides] “, Opt-el. іnf-energ. tekhn., vol. 20, no. 2, pp. 122–130, Jan. 2021.

SHpak A.P., Kunickij YU.A. Karbovskij V.L., Klasternye i nanostrukturnye materialy [Cluster and nanostructured materials], Kiev, Akademperiodika, 2001.

Rabinovich V.A., Havin Z.YA., Kratkij himicheskij spravochnik [Brief chemical reference book], Moscow, «Himiya», 1978.

Osinsky V., Dyachenko O., “Crystal lattice engeneering the novel-substrates for III-nitride-oxide heterostructures”, Semiconductor physics, Quantum electronics and optoelectronics, Vol.13, no.2, pp.141–144, 2010