Моделі параметрів напівпровідникової структури p-n переходом засновані на застосуванні функцій Бесселя

Бічна панель сторінки статті

pdf (Русский)
Опубліковано: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209
Ключові слова:
інформативні електрофізичні параметри, напівпровідникова структура з p-n переходом, одно- та двочастотне гармонійне малосигнальне напруга,, гармонійний струм на різницевий частоті, функція Бесселя уявного аргументу

Основний зміст сторінки статті

Л.І. Самотовка
В.Л. Самотовка

Анотація

Запропоновано моделі для визначення інформативних електрофізичних параметрів напівпровідникової структури з p-n переходом (ПС), що враховують струми витоку через опір паралельне p-n переходу. Вони засновані на одно- та двочастотному гармонійному малосигнальному вплив на ПС

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Самотовка, Л. ., & Самотовка, В. . (2011). Моделі параметрів напівпровідникової структури p-n переходом засновані на застосуванні функцій Бесселя. Електроніка та Зв’язок, 16(3), 28–31. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209
Номер
Том 16 № 3 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

V. L. Samotovka and L. I. Samotovka, “Mathematical modeling of currents in a semiconductor structure with a p-n junction”, Electronics and communication, no. 1, pp. 38–42, 2008

V. G. Verbitsky, V. I. Timofeev, and L. I. Samotovka, “Low-frequency method for determining the parameters of a semiconductor structurewith p-n junction”, Electronics and communication, no. 2, pp. 10–12, 2008

B. A. Fersman and V. F. Kushnir, Theory of nonlinear electrical circuits, Moscow: Svyaz, 1974.

E. Y. Yanke, F. Emde, and F. Lesh, Special functions, Moscow: Nauka, 1977