Імпульсні транспортні властивості трінітрідів

Основний зміст сторінки статті

K. Bol
V. Moskaliuk

Анотація

Використовуючи релаксаційні рівняння балансу енергії, імпульсу і заселеності долин проведено моделювання нестаціонарного ефекту «сплеску» швидкості дрейфу в трінітрідах (AIIIN). Показана можливість багаторазового перевищення швидкості над стаціонарними значеннями.

Бібл. 3, рис. 2, табл. 1.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Bol, K., & Moskaliuk, V. (2015). Імпульсні транспортні властивості трінітрідів. Електроніка та Зв’язок, 19(5), 26–31. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2014.19.5.38778
Розділ
Вакуумна, плазмова та квантова електроніка

Посилання

Bol K.K., Moskaliuk V.A. (2013), “Modeling of velocity “overshoot” in the multivalley semiconductors” Proceedings of the XXXIII International Scientific Conference ELNANO-2013, pp 123-125.

Shur М. (1987), “GaAs Devices and Circuits”, Plenum Press, New York and London, p. 632.

Shur М. (1999), “Transient electron transport in wurtzite GaN, InN, and AlN”, American Institute of Physics.

Seeger К. (1973), “Semiconductor Physics”, Wein: Springer-Verlag, p. 616.

Moskaliuk V.A. (2004), “Physics of Electron Processes. Dynamic Processes”, Textbook, Kyiv: Polіtehnіka, p. 180. (Rus)