Перспективи спінової транспортної електроніки
Основний зміст сторінки статті
Анотація
В огляді наведені основні відомості про спинтронике. Коротко описаны эффекты, на яких базується розвиток спінтронних наноразмерных приборов: гігантське магнетостійкість, спін-залежний туннельний ефект, транспорт спін-поляризованого току, створення спін-поляризованого потоку обертового моменту для магнітного переключення намагнічування та руху магнітних областей. Як приклад успішного застосування спінтронних приладів наведені параметри магнітної пам'яті зі спінтронними компонентами. Показано, что такая пам'ять конкурентоздатна (при 90 нм) при реалізація сучасних запам'ятовуючих пристроїв і має потенціал для майбутнього розвитку (при зменшенні розмірів до 32 нм)
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
M. Ziese and M. J. Thornton, Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2001 DOI:10.1007/3-540-45258-3
G. Mladenov, V. Spivak, E. Koleva, and A. Bogdan, “Nanoelectronics: 1 book, Introduction to nanoelectronic technologies”, Kyiv: Avers, 2010
G. Mladenov, E. Koleva, V. Spivak, and A. Bogdan, “Functional microelectronic components usingspin state quantum effectelectrons and their transfer”, in Internationalscientific and technical conference: "Automation: problems, ideas, solutions 2010", Sevastopol, 6-9 September 2010
M. N. Baibich, “Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices”, Physical Review Letters, vol. 61, no. 21, pp. 2472–2475, Nov. 1988.
G. Binasch, P. Grünberg, F. Saurenbach, and W. Zinn, “Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange”, Physical Review B, vol. 39, no. 7, pp. 4828–4830, Mar. 1989 DOI: 10.1103/PhysRevB.39.4828
D. A. Thompson and J. S. Best, “The future of magnetic data storage techology”, IBM Journal of Research and Development, vol. 44, no. 3, pp. 311–322, May 2000 DOI:10.1147/rd.443.0311
J. Slonczewski, “Current-driven excitation of magnetic multilayers”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol. 159, no. 1-2, pp. L1-L7, Jun. 1996 DOI:10.1016/0304-8853(96)00062-5
J. Barnaś, A. Fert, M. Gmitra, I. Weymann, and V. K. Dugaev, “From giant magnetoresistance to current-induced switching by spin transfer”, Physical Review B, vol. 72, no. 2, Jul. 2005 DOI:10.1103/PhysRevB.72.024426
