НВЧ властивості монокристалічних матеріалів зі структурою силініту

Бічна панель сторінки статті

pdf (Русский)
Опубліковано: бер 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264009
Ключові слова:
матеріали НВЧ, діелектрична проникність, тангенс кута діелектричних втрат, температурний коефіцієнт діелектричної проникності, температурний коефіцієнт діелектричних втрат

Основний зміст сторінки статті

А.В. Борисова
А.В. Мачулянський
Д.Д. Татарчук
Ю.І. Якименко
Т.Л. Волхова

Анотація

Досліджено монокристали Bi12GeO20, Bi12SiO20 та Bi12ТіO20 у діапазоні частот від 104 до 1012 Гц при температурах до 500 К. Визначено характер дисперсії діелектричної проникності у дослідженому діапазоні частот. Наведено результати експериментальних досліджень

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Борисова, А. ., Мачулянський, А. ., Татарчук, Д. ., Якименко, Ю. ., & Волхова, Т. . (2011). НВЧ властивості монокристалічних матеріалів зі структурою силініту. Електроніка та Зв’язок, 16(3), 6–8. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264009
Номер
Том 16 № 3 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

J. Kuwata, M. Onoda, K. Uchino, and S. Nomura, “Dielectric Losses in Bi12GeO20 Single Crystals”, Japanese Journal of Applied Physics, vol. 20, no. 8, pp. 1609–1610, Aug. 1981 DOI:10.1143/JJAP.20.1609

R. E. Aldrich, S. L. Hou, and M. L. Harvill, “Electrical and Optical Properties of Bi SiO”, Journal of Applied Physics, vol. 42, no. 1, pp. 493–494, Jan. 1971 DOI:10.1063/1.1659638

J. Link, J. Fontanella, and C. G. Andeen, “Temperature variation of the dielectric properties of bismuth germanate and bismuth germanium oxide”, Journal of Applied Physics, vol. 51, no. 8, pp. 4352–4355, Aug. 1980 DOI: 10.1063/1.328295

D. Tatarchuk, “Measurement of low-frequency parameters of materials by the method of dielectric resonator E-type”, Electronicsand communications, no. 14, pp. 22–23, 2002