Мікроелектронні сенсори для контролю температури інтегральних мікросхем
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Розглянуто особливості мікроелектронних сенсорів, призначені визначення температури підкладки інтегральних мікросхем. Проведено порівняння термосенсорів на основі резистивних, діодних та транзисторних структур.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
V. Vasiliev, “Classification and methods of reducing temperature errors of sensors based on solid-state structures”, Sensors and systems, no. 12, pp. 6–7, 2001.
V. Bartenev, “Digital temperature sensors”, Sensors and systems, no. 12, pp. 33–38, 2004.
W. Tompkins and J. Webster, Interface of sensors and data input devices with IBM PC computers, Moscow: Mir, 1992, p. 592.
V. Bartenev, “Digital temperature sensors”, Sensors and systems, no. 12, pp. 33–38, 2004.
A. Greben, Design of analog integrated circuits, Moscow: Energiya, 1976, p. 256.
N. R. Kulish, “Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, vol. 2, no. 2, pp. 15–27, Jul. 1999. DOI:10.15407/spqeo2.02.015
Y. Shwarts, V. Borblik, N. Kulish, E. Venger, and V. Sokolov, “Limiting characteristics of diode temperature sensors”, Sensors and Actuators A: Physical, vol. 86, no. 3, pp. 197–205, Nov. 2000. DOI:10.1016/S0924-4247(00)00445-3
P. Yaganov and Y. Shvarts, “Approximation of thermometric characteristics of diode sensors by multifactor analysis”, Bulletin of NTUU "KPI". Instrumentation Series, no. 30, pp. 5–11, 2005.
P. Yaganov, “Modeling of temperaturecharacteristics of silicon sensors at low injection levels”, News of highereducational institutions. Radio electronics, no. 6, pp. 72–78, 2005.
V. Gusev, A. Borisov, P. Yaganov, and L. Pavlov, “Optimization of the structure of silicon transistor temperature sensors”, Electronics and Communications, vol. 31, no. 2, pp. 5–10, 2006.
S. Zi, Physics of semiconductor devices: In 2 books, vol. 1. Moscow: Mir, 1984, p. 456.
