[1]
Belogolovskii, M.A., Larkin, S.Y., Khachaturov, A.I. і Khachaturova, T.A. 2013. Тунельні пристрої із двохзонним ізолятором на основі нанорозмірних контактів надпровідних і феромагнітних шарів. Електроніка та Зв’язок. 18, 1 (Трав 2013), 9–13. DOI:https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.1.186879.