Самотовка, Л. і Самотовка, В. 2011. Моделі параметрів напівпровідникової структури p-n переходом засновані на застосуванні функцій Бесселя. Електроніка та Зв’язок. 16, 3 (Бер 2011), 28–31. DOI:https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264209.