[1]
Сичікова, Я. , Кідалов, В. , Сукач, Г. і Кирилаш, О. 2010. Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs. Електроніка та Зв’язок. 15, 4 (Бер 2010), 34–36. DOI:https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.4.299703.