Belogolovskii M. А., & Larkin, S. Y. (2013). Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів. Електроніка та Зв’язок, 18(2), 9–15. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.2.173993