Belogolovskii M. А.; LARKIN, S. Y. Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів. Електроніка та Зв’язок, [S. l.], v. 18, n. 2, p. 9–15, 2013. DOI: 10.20535/2312-1807.2013.18.2.173993. Disponível em: https://elc.kpi.ua/old/article/view/173993. Acesso em: 1 сер. 2024.