Belogolovskii M. А., і S. Y. Larkin. 2013. «Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів». Електроніка та Зв’язок 18 (2):9-15. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.2.173993.