Belogolovskii M. А. і Larkin, S. Y. (2013) «Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів», Електроніка та Зв’язок, 18(2), с. 9–15. doi: 10.20535/2312-1807.2013.18.2.173993.