Belogolovskii M. А. і S. Y. Larkin, «Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів», Електр.Зв’яз., т. 18, вип. 2, с. 9–15, Трав 2013.