Belogolovskii M. А., і S. Y. Larkin. «Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів». Електроніка та Зв’язок, т. 18, вип. 2, Травень 2013, с. 9-15, doi:10.20535/2312-1807.2013.18.2.173993.