Belogolovskii M. А., і S. Y. Larkin. «Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів». Електроніка та Зв’язок 18, no. 2 (Травень 15, 2013): 9–15. дата звернення Серпень 1, 2024. https://elc.kpi.ua/old/article/view/173993.