Belogolovskii MА, Larkin SY. Наноелектронні пристрої з пам’яттю на основі ефекту електроміграції кисневих вакансій у складних оксидах перехідних металів. Електр.Зв’яз. [інтернет]. 15, Травень 2013 [цит. за 24, Листопад 2024];18(2):9-15. доступний у: https://elc.kpi.ua/old/article/view/173993