Анализ процессов релаксации импульса и энергии в гетеротранзисторах с системами квантовых точек
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Проведено моделирование и сравнительный анализ релаксационных характеристик для четырех различных гетероструктур: гетеротранзистора, гетеротранзистора с двумя каналами (гетеропереходами), гетеротранзистора с двумя каналами и системой квантовых точек, а также гетеротранзистора с двумя каналами и двумя системами квантовых точек. Показано, что разогрев носителей заряда в сильных электрических полях в гетеротранзисторах со встроенными квантовыми точками с двумя гетеропереходами менее интенсивен, а средние значения дрейфовой скорости выше, чем в других исследуемых структурах.
Библ. 7, рис. 2.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Timofeyev V. I., Amini M., Faleeva E. M. (2007), “Non-stationary Drift of Electrons in Submicron High Electron Mobility Transistor with Two Heterojunctions”. Electronics and Electrical Engineering, No 4(76). Pp. 33-36.
Timofeyev V. I, Faleeva E. M. (2010), “Model of Heterotransistor with Quantum Dots”. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 13, No 2.Рp. 186-188.
Moskalyuk V. A. (2004), “Physics of Electron Processes. Part II: Dynamic Processes”. Kiev: Avers, P.186. (Rus)
Požela J. K., Mokerov V. G. (2006), “A Large Enhancement of the Maximum Drift Velocity of Electrons in the Channel of a Field-effect Heterotransistor”. Semiconductors, Vol. 40. Pp. 357-361.
Mokerov V., Pozhela J., Pozhela K., Juciene V. (2006), “Quantum-dot Heterostructure Transistor with Enhanced Maximum Drift Velocity of Electrons”. Semiconductors, Vol. 40. Pp. 367-371.
Timofeyev V. I, Faleeva E. M. (2013), “Two-channel Heterotransistors with Quantum Dots Systems”. IEEE XXXIII International Scientific Conference “Electronics and Nanotechnology”. Kyiv, Ukraine. Pp. 107-111.
Timofeyev V., Faleyeva E. (2014), “Relaxation Processes Analysis In Heterotransistors With Systems of Quantum Wells And Quantum Dots”. IEEE XXXIII International Scientific Conference “Electronics and Nanotechnology” . Kyiv, Ukraine. Pp. 115 – 118.
