Перспективы спиновой транспортной электроники
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В обзоре приведены основные сведения о спинтронике. Коротко описаны эффекты, на которых базируется развития спинтронных наноразмерных приборов: гигантское магнетосопротивление, спин-зависимый туннельный эффект, транспорт спин-поляризованного тока, создание спин-поляризованным током крутящего момента для магнитного переключения намагничивания и движения магнитных областей. Как пример успешного применения спинтронных приборов приведены параметры магнитной памяти со спинтронными компонентами. Показано, что такая память конкурентоспособна (при 90 нм) при реализации современных запоминающих устройств и имеет потенциал для будущего развития (при уменьшении размеров до 32)
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
M. Ziese and M. J. Thornton, Berlin, Heidelberg: Springer Berlin Heidelberg, 2001 DOI:10.1007/3-540-45258-3
G. Mladenov, V. Spivak, E. Koleva, and A. Bogdan, “Nanoelectronics: 1 book, Introduction to nanoelectronic technologies”, Kyiv: Avers, 2010
G. Mladenov, E. Koleva, V. Spivak, and A. Bogdan, “Functional microelectronic components usingspin state quantum effectelectrons and their transfer”, in Internationalscientific and technical conference: "Automation: problems, ideas, solutions 2010", Sevastopol, 6-9 September 2010
M. N. Baibich, “Giant Magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr Magnetic Superlattices”, Physical Review Letters, vol. 61, no. 21, pp. 2472–2475, Nov. 1988.
G. Binasch, P. Grünberg, F. Saurenbach, and W. Zinn, “Enhanced magnetoresistance in layered magnetic structures with antiferromagnetic interlayer exchange”, Physical Review B, vol. 39, no. 7, pp. 4828–4830, Mar. 1989 DOI: 10.1103/PhysRevB.39.4828
D. A. Thompson and J. S. Best, “The future of magnetic data storage techology”, IBM Journal of Research and Development, vol. 44, no. 3, pp. 311–322, May 2000 DOI:10.1147/rd.443.0311
J. Slonczewski, “Current-driven excitation of magnetic multilayers”, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, vol. 159, no. 1-2, pp. L1-L7, Jun. 1996 DOI:10.1016/0304-8853(96)00062-5
J. Barnaś, A. Fert, M. Gmitra, I. Weymann, and V. K. Dugaev, “From giant magnetoresistance to current-induced switching by spin transfer”, Physical Review B, vol. 72, no. 2, Jul. 2005 DOI:10.1103/PhysRevB.72.024426
