Особенности технологии производства фотоэлектрических преобразователей со сквозным эмиттеромFeatures of photovoltaic production technology through-emitter converters

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268247
Ключевые слова:
co сквозным эмиттером, тыльный контакт, лазер, электролюминесценция, трафаретная печать

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А.П. Литвинов

Аннотация

Концепция фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) со сквозным эмиттером включает в себя собирающий носители заряда и покрывающий всю лицевую поверхность р-n переход, который контактирует через многочисленные отверстия с тыльной металлизацией. Технология изготовления ФЭП со сквозным эмиттером была адаптирована к существующему оборудованию производства стандартных кремниевых солнечных элементов. Визуализация работоспособности ФЭП была осуществлена методом электролюминесценции.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Литвинов, А. . (2011). Особенности технологии производства фотоэлектрических преобразователей со сквозным эмиттеромFeatures of photovoltaic production technology through-emitter converters. Электроника и Связь, 16(2), 57–59. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.2.268247
Выпуск
Том 16 № 2 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Peters С., “Alba-development of highefficiency multi-crystalline Si EWT solar cellsfor industrial fabrication at Q-Cells”, in Proc. 23rdEU PVSEC, pp. 1010–1013.

S. . Hermann, “21.4% -efficient emitterwrap-through RISE solar cell on large area andpicoseconds laser processing of local contactopenings”, in Proc. 22nd EU PVSEC, Milan, pp. 970–975.

H. Haverkamp, “Screen printed EWT cells:limitation and alternative approaches to themanufacturing process”, in Proc. 23rd EU PVSEC, Valencia, Spain, pp. 1945–1948.

A. Kitiyanan, “Complementary analysis ofcrystalline defects in Si solar cells by electroluminescence imaging combining forward and reverse bias condition”, in Proc. 23rd EU PVSEC, pp. 1503–1505.

J. Dolensky, “Generation and behaviourmicroplasma in solar cell”, in Proc. 23rd EUPVSEC, Valencia, Spain, pp. 350–352.

J. Vanek, “Micro-plasma noise signal used in solar cells diagnostic”, in roc. 22nd EU PVSEC, Milan, Italy, pp. 242–245.