Особенности моделирования выходных характеристик гетеротранзистора с квантовыми точками

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Mar 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273870
Ключевые слова:
квантовая точка, квантовая яма, гетеротранзистор с квантовыми точками, выходные характеристики, расходимость по сравнению с экспериментом

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

В.И. Тимофеев
Е.М. Фалеева

Аннотация

Рассмотрен вопрос расчета выходных статических характеристик гетеротранзистора с квантовыми точками. Приведен подход к учету влияния квантовых точек на ток транзистора в физико-топологической модели. Полученные результаты подтверждают предполагаемую ранее расходимость с экспериментальными данными, связанную с неоднозначностью расположения квантовых точек в плоскости канала

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Тимофеев, В. ., & Фалеева, Е. . (2011). Особенности моделирования выходных характеристик гетеротранзистора с квантовыми точками. Электроника и Связь, 16(1), 30–33. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.1.273870
Выпуск
Том 16 № 1 (2011)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

J. D. Wood and D. Tougaw, “Matrix Multiplication Using Quantum-Dot Cellular Automata to Implement Conventional Microelectronics”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 10, no. 5, pp. 1036–1042, Sep. 2011. DOI:10.1109/TNANO.2010.2099665

H. Stalford, R. W. Young, E. P. Nordberg, C. Borrás Pinilla, J. E. Levy, and M. S. Carroll, “Capacitance Modeling of Complex Topographical Silicon Quantum Dot Structures”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 10, no. 4, pp. 855–864, Jul. 2011. DOI:10.1109/TNANO.2010.2087035

V. Jovanovi, “n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility”, IEEE Electron Device Letters, vol. 31, no. 10, pp. 1083–1085, Oct. 2010. DOI:10.1109/LED.2010.2058995

L. Asryan and R. Suris, “Threshold Theorysemiconductor lasers based on quantumpoints”, Journal of physics and technology of semiconductors, vol. 38, no. 1, p. 23, 2004.

V. Mokerov, Y. Pozhela, K. Pozhela, and V. Yutsene, “Heterostructural transistor based on quantumpoints with an increased maximum drift velocity of electrons”, Physics and Technologysemiconductors, vol. 40, no. 40, pp. 367–371, Jan. 2006.

V. Mokerov, Y. Fedorov, L. Velikovsky, and M. Shcherbakova, “New heterostructuretransistor based on quantum dots”, DAN: (reports of the Russian Academy of Sciences), vol. 375, no. 6, pp. 754–747, Jan. 2000.

V. Mokerov, Y. Fedorov, L. Velikovsky, and M. Shcherbakov, “Methodsnumerical solution of systems of relaxationequations for the analysis of submicronheterostructures”, Electronics and communication, vol. 47, no. 6, pp. 5–9, Jan. 2008.

V. I. Timofeyev, “Model of heterotransistor with quantum dots”, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, vol. 13, no. 2, pp. 186–188, Apr. 2010. DOI:10.15407/spqeo13.02.186

M. Smirnov, V. Talalaev, B. Novikov, S. Sarangov, G. Tsirlin, and Z. N.D., “Numerical simulation of temperaturedependences of photoluminescence spectraquantum dots InAs/GaAs”, izika Tverdo-body, vol. 49, no. 6, pp. 1126–1131, 2007.

V. Dragunov, I. Unknown, and V. Gridchin, Fundamentals of nanoelectronics: Proc. allowance, Moscow: Logos, 2006, p. 496.

Z. Wang, V. Dorogan, Y. Mazur, and G. Salamo, “Evolution of Various Nanostructures and Preservation of Self-Assembled InAs Quantum Dots During GaAs Capping”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 9, no. 2, pp. 149–156, Mar. 2010. DOI:10.1109/TNANO.2009.2028735