Функциональные свойства кремниевых композитов, легированные иттрием, для тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: Nov 29, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279347
Ключевые слова:
кремниевый композит, редкоземельные металлы, иттрий, тонкие пленки, фотоэлектрический преобразователь

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А.В. Белоусько
В.М. Коваль
А.Н. Шмырева

Аннотация

Рассмотрены перспективные направления развития тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей. На основе проведенных комплексных исследований свойств тонких пленок кремниевых композитов, легированных иттрием, установлены факторы, обеспечивающие повышение их фоточувствительности в видимой и ультрафиолетовой области спектра. Показано, что изменение температуры осаждения пленок приводит к формированию разных типов морфологических структур от аморфной до нанокристаллической

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Белоусько, А. ., Коваль, В. ., & Шмырева, А. . (2010). Функциональные свойства кремниевых композитов, легированные иттрием, для тонкопленочных фотоэлектрических преобразователей. Электроника и Связь, 15(6), 12–19. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.59.6.279347
Выпуск
Том 15 № 6 (2010)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

Gasman L., “Thin Film and Organic PV: NewApplication for Solar Energy”, NanoMakets, no. 3, pp. 1–60, 2006.

K. R. Catchpole, M. J. McCann, K. J. Weber, and A. W. Blakers, “A review of thin-film crystalline silicon for solar cell applications. Part 2: Foreign substrates”, Solar Energy Materials and Solar Cells, vol. 68, no. 2, pp. 173–215, May 2001. DOI:10.1016/S0927-0248(00)00246-4

R. Bergmann, “Crystalline Si films on foreignsubstrates for electronic applications Recent ResearchDevelopments in Crystal Growth Research”, NanoMarkets, no. 1, pp. 1–4, 1999.

K. Yamanioto, M. Yoshimi, Y. Tawada, V. Okamoto, and A. Nakajima, “Cost effective and high performancethin film Si solar cell towards the21st century”, in Proceeding of Technical Digestof the International PVSEC-11, Sapporo, Japan, 1999, pp. 25–35..

G. Andra, J. Bergmann, F. Falk, F. Ose, and N. Sinh, “Properties of laser crystallised siliconthin films for solar cells”, in Proceeding of 2ndWorld Conference and Exhibition on PhotovoltaicSolar Energy Conversion, Vienna, Austria, pp. 1–9..

M. Hofmann, S. Glunz, R. Preu, and G. Willeke, “21%-efficient silicon solar cells using amorphoussilicon rear side passivation”, in Proceedingof 21st European Photovoltaic Solar EnergyConference, Dresden,Germany, pp. 609–612.

M. Scherff, W. Düngen, Y. Ma, T. Mueller, and W. Fahrner, “Increased efficiencies a-Si:H(n)/cz-Si(p) heterojunction solar cells dueto gradient doping by thermal donors”, in Proceedingof 21st European Photovoltaic SolarEnergy Conference, Dresden, Germany, pp. 1177–1180.

R. Stangl, “A novelhigh efficiency buried grid rear contact amorphous/crystalline silicon heterojunction solar cellconcept”, in Proceeding of 22nd European PhotovoltaicSolar Energy Conference, Milan, Italy, pp. 871–874.

E. Franklin, A. Blakers, V. Everett, and K. Weber, “20% efficient SLIVER solar cell”, in Proceedingof 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, 3–7 September 2007, Milan, Italy, pp. 905–908.

M. Lu, S. Bowden, U. Das, and R. Birkmire, “a-Si/c-Siheterojunction for interdigitated back contact solarcell”, in Proceeding of 22nd European PhotovoltaicSolar Energy Conference,3–7 September,2007, Milan, Italy, pp. 924–927.

L. Korte, E. Conrad, H. Angermann, R. Stangl, and M. Schmidt, “Overview on a-Si:H/c-Si heterojuctionsolar cells – physics and technology”, in Proceedingof 22nd European Photovoltaic SolarEnergy Conference, Milan, Italy, 3–7 September, 2007, pp. 862–865.

Mezdrogina M.M., Trapeznikova I.N. Terukov E.I., “The nature of the impurity redco-earth metals and processes of self-ganization in a-Si(H)”, Physics and Technologysemiconductors, vol. 36, no. 11, pp. 1337–1344, 2002.

V. Koval and O. Shmireva, “Last dayhouse centers Eu in silicon slabs”, Science in NTUU "KPI", no. 5, pp. 36–40, 2007.

A. Shmyryeva and T. Semikina, “Орtical Propertiesof amorphous silicon - yttrium films”, Material Research Society, vol. 862, pp. A18.7.1-A18.7.6, 2005.

V. Koval and O. Shmireva, “Nanocrystalline silicon with ceramic coating on-pіvprovіdnikovami authorities”, Naukovіvisti NTUU "KPI", no. 4, pp. 14–28, 2005.

V. Koval and A. Shmyreva, “Heterostructure-nye converters based on nanocrystalssteel silicon films nc-Si:Eu”, in Proceedings of the conference "Thin films inoptics and nanoelectronics, Kharkov, pp. 184–188, 2006