Микроэлектронные сенсоры для контроля температуры интегральных микросхем

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: May 31, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.1.312917
Ключевые слова:
температура подложки микросхемы, терморезисторы, диодные и транзисторные термосенсоры

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А.В. Борисов
В.А. Гусев
Л.Н. Павлов
П.А. Яганов

Аннотация

Рассмотрены особенности микроэлектронных сенсоров, предназначенные для определения температуры подложки интегральных микросхем. Проведено сравнение термосенсоров на основе резистивных, диодных и транзисторных структур

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Борисов, А. ., Гусев, В. ., Павлов, Л. ., & Яганов, П. . (2010). Микроэлектронные сенсоры для контроля температуры интегральных микросхем. Электроника и Связь, 15(1), 5–11. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.1.312917
Выпуск
Том 15 № 1 (2010)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

V. Vasiliev, “Classification and methods of reducing temperature errors of sensors based on solid-state structures”, Sensors and systems, no. 12, pp. 6–7, 2001.

V. Bartenev, “Digital temperature sensors”, Sensors and systems, no. 12, pp. 33–38, 2004.

W. Tompkins and J. Webster, Interface of sensors and data input devices with IBM PC computers, Moscow: Mir, 1992, p. 592.

V. Bartenev, “Digital temperature sensors”, Sensors and systems, no. 12, pp. 33–38, 2004.

A. Greben, Design of analog integrated circuits, Moscow: Energiya, 1976, p. 256.

N. R. Kulish, “Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, vol. 2, no. 2, pp. 15–27, Jul. 1999. DOI:10.15407/spqeo2.02.015

Y. Shwarts, V. Borblik, N. Kulish, E. Venger, and V. Sokolov, “Limiting characteristics of diode temperature sensors”, Sensors and Actuators A: Physical, vol. 86, no. 3, pp. 197–205, Nov. 2000. DOI:10.1016/S0924-4247(00)00445-3

P. Yaganov and Y. Shvarts, “Approximation of thermometric characteristics of diode sensors by multifactor analysis”, Bulletin of NTUU "KPI". Instrumentation Series, no. 30, pp. 5–11, 2005.

P. Yaganov, “Modeling of temperaturecharacteristics of silicon sensors at low injection levels”, News of highereducational institutions. Radio electronics, no. 6, pp. 72–78, 2005.

V. Gusev, A. Borisov, P. Yaganov, and L. Pavlov, “Optimization of the structure of silicon transistor temperature sensors”, Electronics and Communications, vol. 31, no. 2, pp. 5–10, 2006.

S. Zi, Physics of semiconductor devices: In 2 books, vol. 1. Moscow: Mir, 1984, p. 456.