Фотоэлектрические свойства нанопористого кремния и оптоэлектронные сенсоры на его основе

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

pdf
Опубликован: May 31, 2010
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.1.312942
Ключевые слова:
нанопористый кремний, фотолюминесценция, фотоэлектрические свойства, фоточуствительность, химическое травление, адсорбция, относительная влажность, биохимический сенсор, биологический сенсор, оптоэлектронный сенсор

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

А.Н. Шмырева
Н.Н. Мельниченко

Аннотация

Определены основные закономерности формирования пленок нанопористого кремния и управления его структурными и электронными свойствами за счет изменения размеров нанокристаллов и пористости, что позволило создать новые типы сенсоров физических, химических и биологических величин.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Шмырева, А. ., & Мельниченко, Н. . (2010). Фотоэлектрические свойства нанопористого кремния и оптоэлектронные сенсоры на его основе. Электроника и Связь, 15(1), 17–24. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2010.15.1.312942
Выпуск
Том 15 № 1 (2010)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

V. Labunov and V. Bondarenko, Porous silicon in semiconductor electronics, Moscow: Central Research Institute "Electronics", 1978, p. 48.

S. Svechnikov, A. Sachenko, and G. Sukach, “Light-emitting layers of porous silicon: production, properties and application (review)”, Optoelectronics and semiconductor technology, no. 27, pp. 3–29, 1994.

C. Baratto, “A novel porous silicon sensor for detection of sub-ppm NO2 concentrations”, Sensors and Actuators B: Chemical, vol. 77, no. 1-2, pp. 62–66, Jun. 2001. DOI:10.1016/S0925-4005(01)00673-6

A. Shmyreva and N. Melnichenko, “Sensor systems using nanoporous silicon”, Electronics and Communications, no. 1, pp. 17–22, 2006.

V. Makara, “Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, vol. 6, no. 4, pp. 492–495, Dec. 2003. DOI:10.15407/spqeo6.04.492

Skrishevsky V.A. Generation-recombination processes in heterostructures with thin balls of crushed silicon and silicon oxide: Dis. Doctor of Phys.-Math. Sciences: 04/01/10, Kyiv, 2001, p. 298

N. Starodub and V. Starodub, “Biosensors based on photoluminescence of porous silicon. Application for environmental monitoring”, Sensor electronics and microsystem technologies, no. 1, pp. 63–74, 2005.

T. Semikina and A. Shmyryeva, “Porous silicon in solar cells technology”, Renewable Energy, vol. 15, no. 1-4, pp. 479–482, Sep. 1998. DOI:10.1016/S0960-1481(98)00208-0

A. Shmyryeva and T. Semikina, “Porous silicon in photoconverter technology”, in Book of Abstracts of Second RussianConference on material researching and physical-chemical technology basis for preparing doping silicon crystal, 2000, pp. 376–377.

A. Shmyreva, A. Alpatov, P. Novak, A. Shmyreva, A. Alpatov, and P. Novak, “Photoelectric converters based on porous silicon”, in First Ukrainian conference on advanced space research, 2001, p. 47.

A. Shmyryeva, “Solar Cells Based on Porous Silicon”, in Proc. of the 17 th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2001, p. 140.

P. Smertenko, A. Shmyreva, and V. Naumov, “Photovoltaic isotypic transitions on porous silicon”, in Proc. of the PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions, 2002, p. 148.

A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova, O. M. Shmyryeva, E. A. Dobisz, and L. A. Eldada, “Complex studies of properties of nanostructured silicon”, in SPIE Optics + Photonics, San Diego, California, USA, 2006, p. 632716. DOI:10.1117/12.680668

A. Shmyryeva and E. Shembel, “Nanocrystalline Silicon for Biomedical Intelligent Sensor Systems”, in Bionanotechnology: Global Prospects, CRC Press, 2008. DOI:10.1201/9781420007732.ch14

S. Kulyk, M. MelnichenkoM, K. Sveshentsova, and O. Shmyryeva, Investigation of the nanostructured Surface of single- crystal silicon by the method of scanning tunnel spectroscopy, Modern Research and Educational Topics is Microscopy, vol. 2. Spain: FORMATEX, 2007, pp. 550–559.

T. Bilik, O. Shmireva, and L. Shmiryova, “Interaction between the electrophysical powers of nanoporous silicon and the minds of it otrymannya”, Electronics and communications, no. 1–2, pp. 30–35, 2008.