Моделирование полевых структур для биосенсоров с системами квантовых точек
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
В работе рассмотрены особенности моделирования биосенсоров и проведен анализ полевой структуры для создания биосенсора с встроенными квантовыми точками. Дана оценка чувствительности биосенсора при использовании в приповерхностном слое системы квантовых точек. Описаны возможности использования таких биосенсоров для детектирования биомоле-кулярных соединений (белки, ДНК) на чувствительной поверхности транзистора в области между стоком и истоком.
Библ. 15, рис. 5.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Gouvea, C. (2011). Biosensors for health, environment and biosecurity, P. 540.
Zhang, Q., Majumdar, H.S., Kaisti, M., Prabhu, A., Ivask, A., Österbacka, R., Rahman, A., Levon. K. (2015). Surface functionalization of ion-sensitive floating-gate field-effect transistors with organic elec-tronics. Vol. 62. No 4. Pp. 1291-1298.
Kaisti, M., Zhang, Q., Lehmusvuori, F., Rahman, A., Levon, K. (2015). An Ion-Sensitive Floating Gate FET Model: Operating Principles and Electrofluidic Gating. Vol. 62. No 8. Pp. 2628-2635.
Ajay, Narang R., Saxena, M., Gupta, M. (2015). Drain current model of a four-gate dielectric modulat-ed MOSFET for application as a biosensor Transactions On Electron Devices. Vol. 62. No 8. Pp. 2636-2644.
Popescu, D., Brändlein, M., Melzer K., Lugli, P. (2015). Modeling of electrolyte-gated organic thin-film transistors for sensing applications.Vol. 62. No 12. Pp. 4206-4212.
Kim, J-Y., Ahn, J-H., Choi, S-J., Im, M., Kim, S., Duart, J.P., Kim, C-H., Park, T.J., Lee, S.Y., Choi, Y-K. (2012). An underlap channel-embedded field-effect transistor for biosensor application in watery and dry environment. Vol. 11. No 2. Pp. 390-394.
Timofeyev, V. I., Faleeva, E. M. (2010). Model of heterotransistor with quantum dots. Vol. 13. No 2. Рp.186-188.
Timofeyev, V., Faleeva E. (2014). Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots. Electronics and Nanotechnology: 34th International Scientific Con-ference (ELNANO). Pp. 115-118.
Timofeyev, V. I., Faleeva, E. M. (2014). Analysis of relaxation processes of momentum and energy in heterotransistors with systems of quantum dots. Electronics and Communications. No 6. Pp. 54-56. (Rus)
Dvurechensky, A. V., Yakimov, A. I. (2001). Heterostructures Ge/Si with quantum dots. Vol. 171. No 12. Pp. 1371–1373. DOI: http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.0171.200112h.1371. (Rus)
Yakimov, A. I., Dvurechensky, A. V., Bloshkin, A. A., Nenashev, A. V. (2006). Binding of electron states in Ge/Si multilayer strained heterostructures with quantum dots type 2 Vol. 83. No 4. Pp. 189-194. (Rus)
Ryndin, Е. А., Konoplev, B. G. (2001). Submicron integrated circuits: an elementary framework and design. P. 147. (Rus)
Nelaev, V. V., Stempitsky, V. R. (2008). CAD basics in microelectronics. P. 221. (Rus)
Shmyryeva, A. N., Borisov, A. V., Maksimchuk, N. V. (2010). Electronic Sensors Built on Nanostruc-tured Cerium Oxide Films. Nanotechnologies in Russia. Vol. 5, No 5-6. Рp. 383-390.
Maksimchuk, N. V., Shmyryeva, A. N., Borisov, A. V. (2010). Properties and applications of nano-crystalline films of cerium oxide. No 5-6, Pp. 54-59. (Rus)
