Композиционная поляризация многокомпонентных тринитридов для приборных наноструктур
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Рассмотрены структурные и технологические аспекты поляризации многокомпонентных твердых растворов соединений А3В5, в частности, тринитридов галлия, индия и алюминия. Показано, что при замещении в решетках бинарных соединений множества атомов различных размеров, ионных и электронных наноструктур образуются локальные электрические поля, квантово- и оптически размерные потенциальные ямы и барьеры, которые могут объединяться в кластеры с преимущественными направлениями векторов электрического поля. С позиций новых сред накопления энергии проводится сравнительный анализ поляризации в многокомпонентных твердых растворах полупроводников и сегнетоэлектриков. Впервые многокомпонентные твердые растворы полупроводников А3В5 рассматриваются как неупорядоченные системы атомов в отличие от упорядоченного кристаллического распределения с трансляционной инвариантностью и симметрией. Предложены гетерогенные структуры четырехкомпонентных твердых растворов AlInNSb и BInNSb, как перспективные для излучающих систем с преобразованием и накоплением энергии.
Библ. 20, рис. 5.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
Osinsky, V., Osinsky, A., Miller, R. (1963). InGaAsP to Today’s AlInGaNAsP Alloy for LED and Laser Applications.LED 50 years, Proceeding of the LED 50th Anniversary Symposium. October 24-25, 2012, University of Illinois at Urbana-Champaign, USA, pp.156−158.
Masol, I., Osinsky, V., Sergeev, O. (2011). Information nanotechnology, Kiev, Macros. P.506. (Rus)
Goryunova, N. (1968). Sophisticated diamondlike semiconductors, Moscow. Sovetskoe Radio, P.268. (Rus)
Poplavko, Yu., Pereverzeva, L., Voronov, S., Yakimenko, Yu. (2007). Physical Materials Science. Pt.2, Dіelectrics. Kyiv, NTUU “KPІ”, P.392. (Ukr)
Bernardini, F. (2007). Spontaneous and Piezoelectric Polarization: Basic Theory vs. Practical Recipes. Nitride Semiconductor Devices, Edited by Joachim Piprec, Willey, pp.49−69.
Bernardini, F., Fiorentini, V. (2002). Phys. St. Sol. (a), Vol.190, No.1, 65.
Sirota, N. (1965). Some questions of the chemical bond in semiconductors. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah, Minsk, Nauka i tekhnika, pp.12−45. (Rus)
Sirota, N., Osinsky, V. (1966). Radiation of n-p junctions in crystals of solid solutions of indium phosphide-gallium arsenide. A series of “Fizika”, Vol.171, No.2, pp.3I7−3I9. (Rus)
Osinsky, V., Privalov, V., Tihonenko, O. (1981). Optoelectronic multi-component structures on semiconductors. Minsk, Nauka i tekhnika. P.208. (Rus)
Tolpygo, K. (1965). The dynamics of the crystal lattice of the compounds with different types of chemical bond. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah. Minsk, pp.152−161. (Rus)
Folberth, O. G. (1958). Ztschr. Naturforsch., Bd.13a.S.56.
Pearson, W. P. (1959). Canad.J.Chem. Vol.37, P.424.
Makoveckaya, L. (1966). The structure and physical properties of semiconductor alloys InP-GaAs. Kandidatskaya dissertaciya, IFTT i PP ANBSSR, Minsk. (Rus)
Dal Corso, A., Posternak, M., Resta, R., Baldereschi, A. (1994). Ab initio study of piezoelectricity and spontaneous polarization in ZnO. Phys. Rev., B50, 10715.
Bernardini, F., Fiorentini, V. (2001). Nonlinear macroscopic polarization in III-V nitride alloys. Phys.Rev.B64, 0852207.
Osinsky, V., Polуakov, А., Gorokh, G., Liahova, N., Pearton, S. at all. (2009). Non-polar GaN prepared on Si substrates by hydride vapor phase epitaxy using anodized Al nanomask // Appl. Phys. Lett. 94, 022114.
Koshkin, V., Komnik, Yu., Orlova, S. (1965). Some features of the chemical bonding in multicompo-nent compound semiconductor. Himicheskaya svyaz' v poluprovodnikah i tverdyh telah. Minsk, Nauka i tekhnika, pp.304−310. (Rus)
Shpak, A., Kunickij, Yu., Karbovskij, V. (2001). Cluster and nanostructured materials. Kiev, Akademperiodika, P.588. (Rus)
Osinsky, V., Masol, I., Onachenko, M., Sushiy, A. (2013). “Decoherence III-N low-dimensional nanostructures quantum processors”. IX Vserossiyskaya konferencia «Gallium, Indium, Aluminium Ni-trides and structures and devices». Мoscow, pp.100−101. (Rus)
Dyachenko, O., Osinsky, V. (2010). Crystal lattice engineering the novel substrates for III-nitride-oxide heterostructures. Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. Vol.13, No.2. pp.142−144.
