Анализ моделей мемристора для программ схемотехнического проектирования
##plugins.themes.bootstrap3.article.main##
Аннотация
Для построения устройств на основе мемристоров предложен ряд математических моделей. В статье сделан обзор существующих моделей и сравнительный анализ для практического моделирования. Проведены экспериментальные исследования в среде MicroCap. Даны рекомендации по использованию моделей.
##plugins.themes.bootstrap3.article.details##
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:- Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
- Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
- Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).
Библиографические ссылки
L.O. Chua, “Memristor—The missing circuit element,” IEEE Trans. Circuit Theory, vol. CT-18, no. 5, pp. 507–519, Sep. 1971.
L.O. Chua and S.M. Kang, “Memristive devices and systems,” Proc. IEEE, vol. 64, no. 2, pp. 209–223, Feb. 1976.
D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol. 453, pp. 80–83, May 2008.
Y.N. Joglekar and S.J. Wolf, “The elusive memristor: Properties of basic electrical circuits,” Eur. J. Phys., vol. 30, no. 4, pp. 661–675, Jul. 2009.
Z. Biolek, D. Biolek, and V. Biolkova, “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radio engineering, vol. 18, no. 2, pt. 2, pp. 210–214, Jun. 2009.
T. Prodromakis, B.P. Peh, C. Papavassiliou, and C. Toumazou, “A versatile memristor model with non-linear dopant kinetics,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 9, pp. 3099–3105, Sep. 2011.
J. Yu, X. Mu, X. Xi, S. Wang, : Radio engineering 22(4), 969 (2013).
J.J. Yang, M.D. Pickett, X. Li, D.A.A. Ohlberg, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices,” Nature Nanotechnol., vol. 3, pp. 429–433, Jul. 2008.
D. B. Strukov and R.S. Williams, “Exponential ionic drift: Fast switching and low volatility of thin-film memristors,” Appl. Phys. A,Mater. Sci. Process., vol. 94, no. 3, pp. 515–519, Mar. 2009.
G. Simmons, “Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film,” J. Appl. Phys., vol.34, no. 6, pp. 1793–1803, Jan. 1963.
Shahar Kvatinsky, Eby G. Friedman, Fellow, IEEE, Avinoam Kolodny, Senior Member, IEEE, and Uri C. Weiser, Fellow, IEEE «TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model»
MicroCap // Electronics and communications. - 2015. - Т. 20, № 1. - С. 27-35.
