Межузловий аспект кристалічних ґрат

Бічна панель сторінки статті

pdf (Русский)
Опубліковано: бер 28, 2011
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264217
Ключові слова:
плоска петля, комірка Браве, кристалічна решітка, формульний комплекс, міжвузловий аспект кристалічної решітки

Основний зміст сторінки статті

Л.Н. Королевич
А.В. Борисов
М.К. Родіонов

Анотація

У статті розглянуто декілька аспектів кристалічних ґрат. Завдяки введенню поняття формульного комплексу вдалося довести переваги мезузлового. підходу при розгляді кристалічної грати і надати змістовний фізичний зміст найважливішому поняттю кристалографії та кристалофізики – кристалічній решітці

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Королевич, Л., Борисов, А. ., & Родіонов, М. . (2011). Межузловий аспект кристалічних ґрат. Електроніка та Зв’язок, 16(3), 32–38. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2011.16.3.264217
Номер
Том 16 № 3 (2011)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

Nanoelectronics and Information Technology:Advanced Electronic Materials and Novel Devices, Rainer Waser, 2003, p. 1002 ISBN: 978-3-527-40927-3

V. G. Litovchenko and A. P. Gorban, Basicsphysics of microelectronic systems metal–dielectric semiconductor, Kyiv: Nauk, 1978, p. 316.

N. A. Zaitsev and G. Y. Krasnikov, Silicon system– silicon dioxide of submicron VLSI, Moscow: Technosphere, 2003, p. 384.

Y. I. Sirotin and M. P. Shaskolskaya, Basicscrystal physics, Moscow: Nauka, 1975, p. 680.

G. B. Boky, Crystal chemistry, 2nd ed. Moscow: Publishing house of Moscow State University, 1960