Шумові і транспортні властивості кристалів CdTe<Pb>
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Проведені дослідження струмового шуму в монокристалічних зразках CdTe<Pb>. Аналіз шумових даних виконаний в рамках моделі, заснованої на уявленні про бістабильні дефекти – флуктуатори, які виступають в якості причини виникнення 1/f шуму. Передбачається, що ці типи дефектів і неоднорідності можуть приводити до спостережуваних спектрів шуму. Енергія активації флуктуаторів, обчислена з температурної залежності низькочастотного шуму складає 0,74 еВ. В області порівняно середніх частот спектральна залежність потужності шуму зазнає перегину, характерного для шуму генерації-рекомбінації.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
J. Cwirko, C. Przybysz, R. Cwirko, P. Kaminski, Technique of low frequency noise vs temperature for identification of deep level de- fects in semiconductor materials // Proceeding of SPIE, Epilayers and Heterostructures in Op- toelectronics and Semiconductor Technology, 4413, pp. 218-221 (2003)
P. Schauer, Identification of the source of 1/f noise in the CdTe crystals under illumination // Proceedings 17th International Conf. On Noise and Fluctuations, August, 18-22, Prague, pp. 190-196 (2003)
I. Asaad, B. Orsal, J. P. Perez, R. Alabedra, Shot noise in CdTe resistors: experimental and analytical studies // Proceedings 17th Interna- tional Conf. On Noise and Fluctuations, Au- gust, 18-22, Prague, pp. 130-136 (2003)
N.B. Lukyanchikova, A.A. Konoval, M.K. Sheinkman, High-Frequency 1/f noise of photocurrent and residual conductivity in CdS // Solid-State Electron., 18(1), p. 65-70 (1975)
A.K. Raychaudhuri Measurement of 1/f noise and its application in materials // Current Opin- ion in Solid State and Materials Science, 6(1), pp. 67-85 (2002) P.M. Fochuk, O.A. Parfenyuk, O.E. Panchuk Electrical characteristics of CdTe:Pb single crystals at high temperatures // Semiconduc- tors, 40(60), pp. 646-650 (2006) G.P. Zhigal`skii Nonequilibrium 1/fg noise in conducting films and contacts // Physics- Uspekhi, 43 (5), pp. 449-472 (2003) А.В. Моряшин, Е.И. Шмелев, А.В. Якимов Донорно-акцепторные пары как причина шума в приборах на основе GaAs // Радиофизика, Вестник Нижегородского университета им.Н.И. Лобачевского, № 1, с. 78–82 (2007) N. Tanuma, M. Tacano, J. Pavelka, S. Hashi- guchi, J. Sikula, T. Matsui Hooge noise pa- rameter of epitaxial n-GaN on sapphire // Solid- State Electronics, 49(6), pp. 865–870 (2005) M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev Noise spectroscopy of local levels in semiconductors // Semicond. Sci. Technol., 9(6), pp.1183-1189 (1994) T. Musha, M. Tacano Dynamics of energy par- tition among coupled harmonic oscillators in equilibrium // Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, 346(3-4), pp. 339-346 (2005) S.V. Melkonyan, V.M. Aroutiounian, F.V. Gas- paryan and H.V. Asriyan Phonon mechanism of mobility equilibrium fluctuation and proper- ties of 1/f-noise // Physica B: Condensed Mat- ter, 382 (1-2), pp. 65-70 (2006) J. Wu, T. Tshepe, J. E. Butler, M. J. R. Hoch, 1/f noise in semiconducting and just-metallic boron-implanted diamond // Physical Review, B 71(11), pp. 113108-113108-4 (2005) G.Leroy, J.Gest , L.K. Vandamme, J.C. Carru Thermal annealing of MgO substrate increases 1/f noise in YBaCuOx at 300 K and reduces the sheet resistance in the superconducting thin film // Physica C, 425(1–2), pp. 27–36 (2005) X.Y. Chen, F.N. Hooge, M.R. Leys The tem- perature dependence of 1/f noise in InP // Solid-State Electronics, 41(9), pp. 1269–1275 (1997)
