Шумовые и транспортные свойства кристаллов CdTe <Pb>

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF (Українська)
Опубликован: Sep 24, 2012
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.4.218982

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

I. S. Virt
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
I. S. Bilyk
O. A. Parfeniuk
M. I. Ilashchuk

Аннотация

Проведенные исследования токовой шума в монокристаллических образцах CdTe <Pb>. Анализ шумовых данных выполнен в рамках модели, основанной на представлении о бистабильни дефекты - флуктуаторы, которые выступают в качестве причины возникновения 1 / f шума. Предполагается, что эти типы дефектов и неоднородности могут приводить к наблюдаемым спектров шума. Энергия активации флуктуаторив, исчисленная с температурной зависимости низкочастотного шума составляет 0,74 эВ. В области по сравнению средних частот спектральная зависимость мощности шума испытывает перегиба, характерного для шума генерации-рекомбинации.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Virt, I. S., Bilyk, I. S., Parfeniuk, O. A., & Ilashchuk, M. I. (2012). Шумовые и транспортные свойства кристаллов CdTe &lt;Pb&gt;. Электроника и Связь, 17(4), 5–10. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2012.17.4.218982
Выпуск
Том 17 № 4 (2012)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

J. Cwirko, C. Przybysz, R. Cwirko, P. Kaminski, Technique of low frequency noise vs temperature for identification of deep level de- fects in semiconductor materials // Proceeding of SPIE, Epilayers and Heterostructures in Op- toelectronics and Semiconductor Technology, 4413, pp. 218-221 (2003)

P. Schauer, Identification of the source of 1/f noise in the CdTe crystals under illumination // Proceedings 17th International Conf. On Noise and Fluctuations, August, 18-22, Prague, pp. 190-196 (2003)

I. Asaad, B. Orsal, J. P. Perez, R. Alabedra, Shot noise in CdTe resistors: experimental and analytical studies // Proceedings 17th Interna- tional Conf. On Noise and Fluctuations, Au- gust, 18-22, Prague, pp. 130-136 (2003)

N.B. Lukyanchikova, A.A. Konoval, M.K. Sheinkman, High-Frequency 1/f noise of photocurrent and residual conductivity in CdS // Solid-State Electron., 18(1), p. 65-70 (1975)

A.K. Raychaudhuri Measurement of 1/f noise and its application in materials // Current Opin- ion in Solid State and Materials Science, 6(1), pp. 67-85 (2002) P.M. Fochuk, O.A. Parfenyuk, O.E. Panchuk Electrical characteristics of CdTe:Pb single crystals at high temperatures // Semiconduc- tors, 40(60), pp. 646-650 (2006) G.P. Zhigal`skii Nonequilibrium 1/fg noise in conducting films and contacts // Physics- Uspekhi, 43 (5), pp. 449-472 (2003) А.В. Моряшин, Е.И. Шмелев, А.В. Якимов Донорно-акцепторные пары как причина шума в приборах на основе GaAs // Радиофизика, Вестник Нижегородского университета им.Н.И. Лобачевского, № 1, с. 78–82 (2007) N. Tanuma, M. Tacano, J. Pavelka, S. Hashi- guchi, J. Sikula, T. Matsui Hooge noise pa- rameter of epitaxial n-GaN on sapphire // Solid- State Electronics, 49(6), pp. 865–870 (2005) M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev Noise spectroscopy of local levels in semiconductors // Semicond. Sci. Technol., 9(6), pp.1183-1189 (1994) T. Musha, M. Tacano Dynamics of energy par- tition among coupled harmonic oscillators in equilibrium // Physica A: Statistical Mechanics and its Applications, 346(3-4), pp. 339-346 (2005) S.V. Melkonyan, V.M. Aroutiounian, F.V. Gas- paryan and H.V. Asriyan Phonon mechanism of mobility equilibrium fluctuation and proper- ties of 1/f-noise // Physica B: Condensed Mat- ter, 382 (1-2), pp. 65-70 (2006) J. Wu, T. Tshepe, J. E. Butler, M. J. R. Hoch, 1/f noise in semiconducting and just-metallic boron-implanted diamond // Physical Review, B 71(11), pp. 113108-113108-4 (2005) G.Leroy, J.Gest , L.K. Vandamme, J.C. Carru Thermal annealing of MgO substrate increases 1/f noise in YBaCuOx at 300 K and reduces the sheet resistance in the superconducting thin film // Physica C, 425(1–2), pp. 27–36 (2005) X.Y. Chen, F.N. Hooge, M.R. Leys The tem- perature dependence of 1/f noise in InP // Solid-State Electronics, 41(9), pp. 1269–1275 (1997)