Застосування наноподібних структур для розв’язку задач забезпечення електромагнітної сумісності
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Екранування електричних,магнітних та електромагнітних полів в діапазоні частот: від одиниць, десятків кілогерц, до декількох десятків гігагерц. Описано вимоги до електромагнітного екранування наноструктурних композитних матеріалів. Визначені методи екранування на основі відбивальних або поглинальних нанокомпозитних структур для застосування у протизавадових фільтрах
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
SHmyreva A.N. Mel'nichenko N.N. “Fotoelektricheskie svojstva nanoporistogo kremniya i optoelektronnye sensory na ego osnove [ Photoelectric properties of nanoporous silicon and optoelectronic sensors based on it]”, Electronics and communication, vol. 54, no.1, pp. 17-24, 2010
Golikova O.A., Kazanin M.M. ” Vliyanie nanokristallicheskih vklyuchenij na fotochuvstvitel'nost' plenok amorfnogo gidrirovannogo kremniya [Effect of nanocrystalline inclusions on the photosensitivity of amorphous hydrogenated silicon films] “, Fizika tekhnika poluprovodnikov, vol. 34, no. 6, pp. 762-765, 2000
Imri J. Vvedenie v mezoskopicheskuyu fiziku [Introduction to Mesoscopic Physics], Moscow: FIZMATLIT, 2004, p. 304
Hamakava J., Amorfnye poluprovodniki i pribory na ih osnove [Amorphous semiconductors and devices based on them], Moscow: Metallurgiya, 1986, p. 188
Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov S.G. Fizika poluprovodnikov [Semiconductor physics], Moscow: The science. Main editorial office of physical and mathematical literature, vol.3, p. 679, 1987
Bahov V.A., Mazinov A.S., Pisarenko L.D. “Detalizaciya lokalizovannyh urovnej neuporyadochennyh poluprovodnikovyh struktur [Detailing of localized levels of disordered semiconductor structures] “, Electronics and communication, vol. 54, no.1, pp. 12-16, 2010
Ridley B.K. Quantum processes in semiconductor, Oxford University Press, 1982, p. 302
Ansel'm A.I. “Vvedenie v teoriyu poluprovodnikov [Introduction to semiconductor theory]”, Moscow: Nauka, 1978, p. 616
Madelung O. “Fizika tverdogo tela. Lokalizovannye sostoyaniya [Solid state physics. Localized states]”, Moscow: Nauka. Glavnaya redakciya fiziko-matematicheskoj literatury, 1985, p. 184
Mazinov A.S., Bahov V.A., Karavajnikov A.V. “Vliyanie aperiodichnosti nanouporyadochennyh struktur na soprotivlenie [Influence of aperiodicity of nanoordered structures on resistance]” Kry-MiKo, no. 20, pp. 840-841, 2010
Mazinov A.S., Lisovec E.V., Karavajnikov A.V. “Vliyanie koncentracii vodoroda v magnetronnoj kamere na gidrirovanie kremnievoj amorfnoj plenki [Effect of the concentration of hydrogen in the magnetron chamber on the hydrogenation of an amorphous silicon film]“, Vestnik SumGU, vol. 69, no. 10, pp.101–110, 2004
