Моделювання польового транзистора на наноніті
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У статті наводиться аналітична модель польового транзистора на кремнієвих нанонитях з бар'єрними контактами Шоттки витоку та стоку. Модель діода Шоттки ґрунтується на використанні процесів термоелектронної польової емісії при зворотному електричному зміщенні та термоелектронного механізму емісії при прямому зміщенні. Наведено результати розрахунків та проведено аналіз вольт-амперних характеристик транзистора.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
S. Fortuna, “GaAs MESFET With a High-Mobility Self-Assembled Planar Nanowire Channel”, IEEE Electron Device Letters, vol. 30, no. 6, pp. 593–595, Jun. 2009 DOI:10.1109/LED.2009.2019769
J. Wang, E. Polizzi, and M. Lundstrom, “A three-dimensional quantum simulation of silicon nanowire transistors with the effective-mass approximation”, Journal of Applied Physics, vol. 96, no. 4, pp. 2192–2203, Aug. 2004 DOI:10.1063/1.1769089
D.S. Kim, Y.C. Jung, M.Y.Park, B.S.Kim, S.H.Hong, M.S. Choi, M.G.Kang, D.Whang, S.W. Hwang, “Electrical Characteristics of the Backgated Bottom-Up Silicon Nanowire FETs”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 7, no. 6, pp. 683–687, Nov. 2008 DOI:10.1109/TNANO.2008.2005636
Lee S.H., Yu Y.S., Hwang S.W., Ahn D. A, “A SPICE-Compatible New Silicon Nanowire Field-Effect Transistors (SNWFETs) Model”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 8, no. 5, pp. 643–649, Sep. 2009 DOI:10.1109/TNANO.2009.2019724
S. Zee, Physics of semiconductor devices:In 2 books, Mir., vol. 2. Moscow: Mir, 1984, p. 456.
