Моделювання польових структур для біосенсорів з системами квантових точок
Основний зміст сторінки статті
Анотація
В роботі розглянуто особливості моделювання біосенсорів та проведено аналіз польової структури для створення біосенсора з вбудованими квантовими точками. Дано оцінку щодо підвищення чутливості біосенсора при використанні у приповерхневому шарі системи квантових точок. Описано можливості використання таких біосенсорів для детектування біомолекулярних сполук (білки, ДНК) на чутливій поверхні транзистора в області між стоком та витоком.
Бібл. 15, рис. 5.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Gouvea, C. (2011). Biosensors for health, environment and biosecurity, P. 540.
Zhang, Q., Majumdar, H.S., Kaisti, M., Prabhu, A., Ivask, A., Österbacka, R., Rahman, A., Levon. K. (2015). Surface functionalization of ion-sensitive floating-gate field-effect transistors with organic elec-tronics. Vol. 62. No 4. Pp. 1291-1298.
Kaisti, M., Zhang, Q., Lehmusvuori, F., Rahman, A., Levon, K. (2015). An Ion-Sensitive Floating Gate FET Model: Operating Principles and Electrofluidic Gating. Vol. 62. No 8. Pp. 2628-2635.
Ajay, Narang R., Saxena, M., Gupta, M. (2015). Drain current model of a four-gate dielectric modulat-ed MOSFET for application as a biosensor Transactions On Electron Devices. Vol. 62. No 8. Pp. 2636-2644.
Popescu, D., Brändlein, M., Melzer K., Lugli, P. (2015). Modeling of electrolyte-gated organic thin-film transistors for sensing applications.Vol. 62. No 12. Pp. 4206-4212.
Kim, J-Y., Ahn, J-H., Choi, S-J., Im, M., Kim, S., Duart, J.P., Kim, C-H., Park, T.J., Lee, S.Y., Choi, Y-K. (2012). An underlap channel-embedded field-effect transistor for biosensor application in watery and dry environment. Vol. 11. No 2. Pp. 390-394.
Timofeyev, V. I., Faleeva, E. M. (2010). Model of heterotransistor with quantum dots. Vol. 13. No 2. Рp.186-188.
Timofeyev, V., Faleeva E. (2014). Relaxation processes analysis in heterotransistors with systems of quantum wells and quantum dots. Electronics and Nanotechnology: 34th International Scientific Con-ference (ELNANO). Pp. 115-118.
Timofeyev, V. I., Faleeva, E. M. (2014). Analysis of relaxation processes of momentum and energy in heterotransistors with systems of quantum dots. Electronics and Communications. No 6. Pp. 54-56. (Rus)
Dvurechensky, A. V., Yakimov, A. I. (2001). Heterostructures Ge/Si with quantum dots. Vol. 171. No 12. Pp. 1371–1373. DOI: http://dx.doi.org/10.3367/UFNr.0171.200112h.1371. (Rus)
Yakimov, A. I., Dvurechensky, A. V., Bloshkin, A. A., Nenashev, A. V. (2006). Binding of electron states in Ge/Si multilayer strained heterostructures with quantum dots type 2 Vol. 83. No 4. Pp. 189-194. (Rus)
Ryndin, Е. А., Konoplev, B. G. (2001). Submicron integrated circuits: an elementary framework and design. P. 147. (Rus)
Nelaev, V. V., Stempitsky, V. R. (2008). CAD basics in microelectronics. P. 221. (Rus)
Shmyryeva, A. N., Borisov, A. V., Maksimchuk, N. V. (2010). Electronic Sensors Built on Nanostruc-tured Cerium Oxide Films. Nanotechnologies in Russia. Vol. 5, No 5-6. Рp. 383-390.
Maksimchuk, N. V., Shmyryeva, A. N., Borisov, A. V. (2010). Properties and applications of nano-crystalline films of cerium oxide. No 5-6, Pp. 54-59. (Rus)
