Аналіз моделей мемристора для програм схемотехнічного проектування

Основний зміст сторінки статті

Oleksandra V. Artiuhova
Leonid Dmytrovych Pysarenko

Анотація

Для побудови пристроїв на основі мемристорів запропоновано низку математичних моделей. У статті зроблено огляд існуючих моделей та порівняльний аналіз для практичного моделювання. Проведено експериментальні дослідження в середовищі MicroCap. Надано рекомендації щодо використання моделей.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Artiuhova, O. V., & Pysarenko, L. D. (2016). Аналіз моделей мемристора для програм схемотехнічного проектування. Електроніка та Зв’язок, 21(5), 6–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2016.21.5.81896
Розділ
Твердотільна електроніка

Посилання

L.O. Chua, “Memristor—The missing circuit element,” IEEE Trans. Circuit Theory, vol. CT-18, no. 5, pp. 507–519, Sep. 1971.

L.O. Chua and S.M. Kang, “Memristive devices and systems,” Proc. IEEE, vol. 64, no. 2, pp. 209–223, Feb. 1976.

D.B. Strukov, G.S. Snider, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “The missing memristor found,” Nature, vol. 453, pp. 80–83, May 2008.

Y.N. Joglekar and S.J. Wolf, “The elusive memristor: Properties of basic electrical circuits,” Eur. J. Phys., vol. 30, no. 4, pp. 661–675, Jul. 2009.

Z. Biolek, D. Biolek, and V. Biolkova, “SPICE model of memristor with nonlinear dopant drift,” Radio engineering, vol. 18, no. 2, pt. 2, pp. 210–214, Jun. 2009.

T. Prodromakis, B.P. Peh, C. Papavassiliou, and C. Toumazou, “A versatile memristor model with non-linear dopant kinetics,” IEEE Trans. Electron Devices, vol. 58, no. 9, pp. 3099–3105, Sep. 2011.

J. Yu, X. Mu, X. Xi, S. Wang, : Radio engineering 22(4), 969 (2013).

J.J. Yang, M.D. Pickett, X. Li, D.A.A. Ohlberg, D.R. Stewart, and R.S. Williams, “Memristive switching mechanism for metal/oxide/metal nanodevices,” Nature Nanotechnol., vol. 3, pp. 429–433, Jul. 2008.

D. B. Strukov and R.S. Williams, “Exponential ionic drift: Fast switching and low volatility of thin-film memristors,” Appl. Phys. A,Mater. Sci. Process., vol. 94, no. 3, pp. 515–519, Mar. 2009.

G. Simmons, “Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film,” J. Appl. Phys., vol.34, no. 6, pp. 1793–1803, Jan. 1963.

Shahar Kvatinsky, Eby G. Friedman, Fellow, IEEE, Avinoam Kolodny, Senior Member, IEEE, and Uri C. Weiser, Fellow, IEEE «TEAM: ThrEshold Adaptive Memristor Model»

MicroCap // Electronics and communications. - 2015. - Т. 20, № 1. - С. 27-35.