Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубликован: Jul 1, 2013
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.3.158134
Ключевые слова:
интегральные схемы, модель транзистора, датчик насыщения, критические параметра, неидеальность переходов

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

P. G. Merejany
Национальный технический университет Украины «Киевский политехнический институт имени Игоря Сикорского»
L. N. Pavlov

Аннотация

Предложен алгоритм адаптации модели датчика насыщения вертикального npn-транзистора, совмещенного с ним в единой структуре, к системе автоматизированного проектирования. Алгоритм подразумевает сведение результатов измерения реальных интегральных структур с результатами моделирования комплекса (выходной транзистор) + (транзистор-датчик). Выявлены критические параметры модели, и указано на необходимость усреднения погрешности модели из-за высокой чувствительности к коэффициентам неидеальности переходов транзисторов.

Библ. 3, рис. 5, табл. 1.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Как цитировать
Merejany, P. G., & Pavlov, L. N. (2013). Датчик режима насыщения выходного n-p-n-транзистора. Электроника и Связь, 18(3), 9–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.3.158134
Выпуск
Том 18 № 3 (2013)
Раздел
Твердотельная электроника
Лицензия Creative Commons

Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.

Авторы, публикующиеся в данном журнале, соглашаются со следующими условиями:

  1. Авторы сохраняют за собой права на авторство своей работы и предоставляют журналу право первой публикации этой работы на условиях лицензии Creative Commons Attribution License, которая позволяет другим лицам свободно распространять опубликованную работу с обязательной ссылокой на авторов оригинальной работы и оригинальную публикацию в этом журнале.
  2. Авторы сохраняют право заключать отдельные договора на неэксклюзивное распространение работы в том виде, в котором она была опубликована этим журналом (например, размещать работу в электронном архиве учреждения или публиковать в составе монографии), с условием сохраниения ссылки на оригинальную публикацию в этом журнале.
  3. Политика журнала разрешает и поощряет размещение авторами в сети Интернет (например в институтском хранилище или на персональном сайте) рукописи работы как до ее подачи в редакцию, так и во время ее редакционной обработки, так как это способствует продуктивной научной дискуссии и положительно сказывается на оперативности и динамике цитирования статьи (см. The Effect of Open Access).

Библиографические ссылки

A.V. Borisov, L.N. Pavlov. (2012), “Rail-to-Rail Opamp Self Protection against Injection in Output stage”. Electronics and Communications, No.1, Pp.5-8. (Rus)

L.N. Pavlov, M.A. Tereshin. (2012), “Rail-to-Rail Opamp Output stage investigation”. Electronics and Communications. No. 2, Pp.18-22. (Rus)

V.D. Razevig. (1999), “Computer-added Electronic System Design”. “DesignLab 8.0”. «Solon», Мoscow., P. 698. (Rus)