Аналіз процесів релаксації імпульсу і енергії в гетеротранзисторах з системами квантових точок
Основний зміст сторінки статті
Анотація
У статті наведені результати моделювання та порівняльний аналіз релаксаційних характеристик для чотирьох різних гетероструктур: традиційного гетеротранзистора, гетеротранзистора з двома каналами (гетеропереходами), гетеротранзистора з двома каналами і системою квантових точок, а також гетеротранзистора з двома каналами і двома системами квантових точок. Показано, що розігрів носіїв заряду в сильних електричних полях в гетеротранзисторах з вбудованими квантовими точками з двома гетеропереходами менш інтенсивний, а середні значення дрейфовой швидкості вищі, ніж в інших досліджуваних структурах.
Бібл. 7, рис.2.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Timofeyev V. I., Amini M., Faleeva E. M. (2007), “Non-stationary Drift of Electrons in Submicron High Electron Mobility Transistor with Two Heterojunctions”. Electronics and Electrical Engineering, No 4(76). Pp. 33-36.
Timofeyev V. I, Faleeva E. M. (2010), “Model of Heterotransistor with Quantum Dots”. Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, Vol. 13, No 2.Рp. 186-188.
Moskalyuk V. A. (2004), “Physics of Electron Processes. Part II: Dynamic Processes”. Kiev: Avers, P.186. (Rus)
Požela J. K., Mokerov V. G. (2006), “A Large Enhancement of the Maximum Drift Velocity of Electrons in the Channel of a Field-effect Heterotransistor”. Semiconductors, Vol. 40. Pp. 357-361.
Mokerov V., Pozhela J., Pozhela K., Juciene V. (2006), “Quantum-dot Heterostructure Transistor with Enhanced Maximum Drift Velocity of Electrons”. Semiconductors, Vol. 40. Pp. 367-371.
Timofeyev V. I, Faleeva E. M. (2013), “Two-channel Heterotransistors with Quantum Dots Systems”. IEEE XXXIII International Scientific Conference “Electronics and Nanotechnology”. Kyiv, Ukraine. Pp. 107-111.
Timofeyev V., Faleyeva E. (2014), “Relaxation Processes Analysis In Heterotransistors With Systems of Quantum Wells And Quantum Dots”. IEEE XXXIII International Scientific Conference “Electronics and Nanotechnology” . Kyiv, Ukraine. Pp. 115 – 118.
