Модифікація джерела опорної напруги

Основний зміст сторінки статті

A. V. Borisov
L. N. Pavlov

Анотація

Досліджена можливість модифікації джерела опорної напруги (ДОН) в напрямку зниження його вартості. З цією метою розглянуті як аналітично, так і чисельно принципи роботи джерела опорної напруги. Отримана чисельна оцінка можливості зниження вартості з прийнятним зниженням якості. Показані резерви вдосконалення елементної бази та реалізовано ядро ДОН у вигляді інтегральної структури з дифузійними резисторами, що практично ідентичне за точністю ДОН з плівковими резисторами.

Бібл. 5, рис. 5.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Borisov, A. V., & Pavlov, L. N. (2013). Модифікація джерела опорної напруги. Електроніка та Зв’язок, 18(4), 14–20. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.4.158011
Розділ
Твердотільна електроніка

Посилання

Analog Devices. Ultralow Noise, High Accuracy Voltage References. ADR4520/ADR4525/ADR4530/ADR4533/ADR4540/ADR4550. Data Sheet 2012, Rev. O, D10203-0-4/12(0), p. 32.

(1997–2013), “Analog Devices. 2.5 V to 5.0 V Micropower, Precision Series Mode Voltage References AD1582/AD1583/AD1584/AD1585, Data Sheet”. Rev. J, D00701-0-2/13(J), p.16.

Analog Devices. Ultraprecision, Low Noise 2.048 V/2.500 V/ 3.00 V/5.00 V XFET. Voltage References ADR420/ADR421/ADR423/ADR425. Data Sheet, 2001–2011, Rev. I, D02432-0-5/11(I), p.24.

Soclof S. (1984) “Analog Integrated Circuits”. Prentice-Hall., Englewood Cliffs, NJ 07632. (Rus)

Pease R.A. (1984), “A New Fahrenheit Temperature Sensor”. IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. Sc-19, No.6, December p. 971 – 977.