Датчик режиму насичення вихідного npn-транзистора

Бічна панель сторінки статті

PDF (Русский)
Опубліковано: лип 1, 2013
DOI: https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.3.158134
Ключові слова:
інтегральні схеми, модель транзистора, критичні параметри, неідеальність переходів

Основний зміст сторінки статті

P. G. Merejany
Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
L. N. Pavlov

Анотація

Запропоновано алгоритм адаптації моделі датчика насичення вертикального npn-транзистора, що суміщений з ним в єдиній структурі, до системи автоматизованого проектування. Алгоритм має на меті зближення результатів вимірювання реальних інтегральних структур з результатами моделювання комплекса (вихідний транзистор)+(транзистор-датчик). Виявлені критичні параметри моделі і вказано на необхідність усереднення похибки моделя через високу чутливість до коефіцієнтів неідеальності переходів транзистора.

Бібл. 3, рис. 5, табл. 1.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Merejany, P. G., & Pavlov, L. N. (2013). Датчик режиму насичення вихідного npn-транзистора. Електроніка та Зв’язок, 18(3), 9–13. https://doi.org/10.20535/2312-1807.2013.18.3.158134
Номер
Том 18 № 3 (2013)
Розділ
Твердотільна електроніка
Creative Commons License

Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

  1. Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
  2. Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
  3. Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Посилання

A.V. Borisov, L.N. Pavlov. (2012), “Rail-to-Rail Opamp Self Protection against Injection in Output stage”. Electronics and Communications, No.1, Pp.5-8. (Rus)

L.N. Pavlov, M.A. Tereshin. (2012), “Rail-to-Rail Opamp Output stage investigation”. Electronics and Communications. No. 2, Pp.18-22. (Rus)

V.D. Razevig. (1999), “Computer-added Electronic System Design”. “DesignLab 8.0”. «Solon», Мoscow., P. 698. (Rus)