Особливості моделювання вихідних характеристик гетеротранзистор із квантовими точками
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Розглянуто питання розрахунку вихідних статичних характеристик гетеротранзистора із квантовими точками. Наведено підхід до обліку впливу квантових точок на струм транзистора у фізико-топологічній моделі. Отримані результати підтверджують передбачувану раніше розбіжність з експериментальними даними, пов'язану з неоднозначністю розташування квантових точок у площині каналу
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
J. D. Wood and D. Tougaw, “Matrix Multiplication Using Quantum-Dot Cellular Automata to Implement Conventional Microelectronics”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 10, no. 5, pp. 1036–1042, Sep. 2011. DOI:10.1109/TNANO.2010.2099665
H. Stalford, R. W. Young, E. P. Nordberg, C. Borrás Pinilla, J. E. Levy, and M. S. Carroll, “Capacitance Modeling of Complex Topographical Silicon Quantum Dot Structures”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 10, no. 4, pp. 855–864, Jul. 2011. DOI:10.1109/TNANO.2010.2087035
V. Jovanovi, “n-Channel MOSFETs Fabricated on SiGe Dots for Strain-Enhanced Mobility”, IEEE Electron Device Letters, vol. 31, no. 10, pp. 1083–1085, Oct. 2010. DOI:10.1109/LED.2010.2058995
L. Asryan and R. Suris, “Threshold Theorysemiconductor lasers based on quantumpoints”, Journal of physics and technology of semiconductors, vol. 38, no. 1, p. 23, 2004.
V. Mokerov, Y. Pozhela, K. Pozhela, and V. Yutsene, “Heterostructural transistor based on quantumpoints with an increased maximum drift velocity of electrons”, Physics and Technologysemiconductors, vol. 40, no. 40, pp. 367–371, Jan. 2006.
V. Mokerov, Y. Fedorov, L. Velikovsky, and M. Shcherbakova, “New heterostructuretransistor based on quantum dots”, DAN: (reports of the Russian Academy of Sciences), vol. 375, no. 6, pp. 754–747, Jan. 2000.
V. Mokerov, Y. Fedorov, L. Velikovsky, and M. Shcherbakov, “Methodsnumerical solution of systems of relaxationequations for the analysis of submicronheterostructures”, Electronics and communication, vol. 47, no. 6, pp. 5–9, Jan. 2008.
V. I. Timofeyev, “Model of heterotransistor with quantum dots”, Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, vol. 13, no. 2, pp. 186–188, Apr. 2010. DOI:10.15407/spqeo13.02.186
M. Smirnov, V. Talalaev, B. Novikov, S. Sarangov, G. Tsirlin, and Z. N.D., “Numerical simulation of temperaturedependences of photoluminescence spectraquantum dots InAs/GaAs”, izika Tverdo-body, vol. 49, no. 6, pp. 1126–1131, 2007.
V. Dragunov, I. Unknown, and V. Gridchin, Fundamentals of nanoelectronics: Proc. allowance, Moscow: Logos, 2006, p. 496.
Z. Wang, V. Dorogan, Y. Mazur, and G. Salamo, “Evolution of Various Nanostructures and Preservation of Self-Assembled InAs Quantum Dots During GaAs Capping”, IEEE Transactions on Nanotechnology, vol. 9, no. 2, pp. 149–156, Mar. 2010. DOI:10.1109/TNANO.2009.2028735
