Фотоелектричні властивості нанопористого кремнію та оптоелектронні сенсори на його основі
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Визначено основні закономірності формування плівок нанопористого кремнію та управління його структурними та електронними властивостями за рахунок зміни розмірів нанокристалів та пористості, що дозволило створити нові типи сенсорів фізичних, хімічних та біологічних величин.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
V. Labunov and V. Bondarenko, Porous silicon in semiconductor electronics, Moscow: Central Research Institute "Electronics", 1978, p. 48.
S. Svechnikov, A. Sachenko, and G. Sukach, “Light-emitting layers of porous silicon: production, properties and application (review)”, Optoelectronics and semiconductor technology, no. 27, pp. 3–29, 1994.
C. Baratto, “A novel porous silicon sensor for detection of sub-ppm NO2 concentrations”, Sensors and Actuators B: Chemical, vol. 77, no. 1-2, pp. 62–66, Jun. 2001. DOI:10.1016/S0925-4005(01)00673-6
A. Shmyreva and N. Melnichenko, “Sensor systems using nanoporous silicon”, Electronics and Communications, no. 1, pp. 17–22, 2006.
V. Makara, “Structure and luminescence study of nanoporous silicon layers with high internal surface”, Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics, vol. 6, no. 4, pp. 492–495, Dec. 2003. DOI:10.15407/spqeo6.04.492
Skrishevsky V.A. Generation-recombination processes in heterostructures with thin balls of crushed silicon and silicon oxide: Dis. Doctor of Phys.-Math. Sciences: 04/01/10, Kyiv, 2001, p. 298
N. Starodub and V. Starodub, “Biosensors based on photoluminescence of porous silicon. Application for environmental monitoring”, Sensor electronics and microsystem technologies, no. 1, pp. 63–74, 2005.
T. Semikina and A. Shmyryeva, “Porous silicon in solar cells technology”, Renewable Energy, vol. 15, no. 1-4, pp. 479–482, Sep. 1998. DOI:10.1016/S0960-1481(98)00208-0
A. Shmyryeva and T. Semikina, “Porous silicon in photoconverter technology”, in Book of Abstracts of Second RussianConference on material researching and physical-chemical technology basis for preparing doping silicon crystal, 2000, pp. 376–377.
A. Shmyreva, A. Alpatov, P. Novak, A. Shmyreva, A. Alpatov, and P. Novak, “Photoelectric converters based on porous silicon”, in First Ukrainian conference on advanced space research, 2001, p. 47.
A. Shmyryeva, “Solar Cells Based on Porous Silicon”, in Proc. of the 17 th European Photovoltaic Solar Energy Conference, 2001, p. 140.
P. Smertenko, A. Shmyreva, and V. Naumov, “Photovoltaic isotypic transitions on porous silicon”, in Proc. of the PV in Europe from PV Technology to Energy Solutions, 2002, p. 148.
A. I. Luchenko, M. M. Melnichenko, K. V. Svezhentsova, O. M. Shmyryeva, E. A. Dobisz, and L. A. Eldada, “Complex studies of properties of nanostructured silicon”, in SPIE Optics + Photonics, San Diego, California, USA, 2006, p. 632716. DOI:10.1117/12.680668
A. Shmyryeva and E. Shembel, “Nanocrystalline Silicon for Biomedical Intelligent Sensor Systems”, in Bionanotechnology: Global Prospects, CRC Press, 2008. DOI:10.1201/9781420007732.ch14
S. Kulyk, M. MelnichenkoM, K. Sveshentsova, and O. Shmyryeva, Investigation of the nanostructured Surface of single- crystal silicon by the method of scanning tunnel spectroscopy, Modern Research and Educational Topics is Microscopy, vol. 2. Spain: FORMATEX, 2007, pp. 550–559.
T. Bilik, O. Shmireva, and L. Shmiryova, “Interaction between the electrophysical powers of nanoporous silicon and the minds of it otrymannya”, Electronics and communications, no. 1–2, pp. 30–35, 2008.
