Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача

Основний зміст сторінки статті

Андрей Владимирович Гетьман
Михало Григорович Душейко
А. В. Иващук
М. С. Фадеев
Ю. Якименко

Анотація

В даній роботі представлені результати розробки та проведення дослідження кремнієвих сонячних елементів космічного затосування. У сфері розробки енергосистем для космічних апаратів зараз активно розвиваються сонячні елементи на основі А3В5 багатошарових структур, проте для невисоких орбіт 700 – 800 км, доцільним залишається застосування кремнієвих сонячних елементів. Дослідження на радіаційну стійкість проводились на сонячних елементах із структурою n+ - p – p+. Кремнієві сонячні елементи піддавались опроміненню електронами з енергію 7МеВ. Щільність потоку прискорених електронів складала 3,0E+8 см-2с-1 в атмосфері. Накопичена доза радіації складала 100 крад (Si). Отримані результати порівнювались із попередніми експериментами проведеними в лабораторії. Бібл. 5, рис. 1, табл. 1.

Блок інформації про статтю

Як цитувати
Гетьман, А. В., Душейко, М. Г., Иващук, А. В., Фадеев, М. С., & Якименко, Ю. (2015). Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача. Електроніка та Зв’язок, 20(2). https://doi.org/10.20535/2312-1807.2015.20.2.47719
Розділ
Твердотільна електроніка

Посилання

A. Luque, Steven Hegedus. (2003), Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. England. John Wiley & Sons Ltd, The Atrium.

Tom Markvart, Luis Castaner. (2003), Photovoltaics Fundamentals and Applications. Oxford: Elsevir.

M. Yamaguchi. (1995), Radiation resistance of compound semiconductor solar cells. Journal of Applied Physics 78, Pp.1476-1480.

(2006), Datasheet Silicon Solar Space Cell S32, Heilbronn: Azur Space Solar Power GmbH.

(1993), European Space Agency. The radiation design handbook. European Space Agency. Noordwijk, the Netherlands, ESA, ESTEC.