Дослідження випромінювання екситонів як елементів для кванто-вих обчислень
Основний зміст сторінки статті
Анотація
Стаття присвячена порівняльним дослідженням випромінювання екситонів прямозонних і непрямозонних матеріалів. На підставі аналізу воднеподібних моделей екситонів та отриманих результатів досліджень екситонів прямозонних і непрямозонних матеріалів був знайдений оптимальний підхід для практичної реалізації ефективних елементів для квантових обчислень. При використанні широкозонних прямозонних матеріалів A3B5 і A2B6 відкриваються нові можливості екситонів і квантових точок як елементів квантового комп'ютера з високим коефіцієнтом збереження когерентності електронних станів при кімнатних температурах.
Бібл. 17, рис. 6.
Блок інформації про статтю
Ця робота ліцензується відповідно до Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
Посилання
Osinsky, V.I., Masol, I.V., Onachenko, M.S., Sushiy, A.A (2013). Decoherence III-N low-dimensional nanostructures quantum processors. IX Vserossiyskaya konferencia «Gallium, Indium, Aluminium Ni-trides and structures and devices» Мoscow., Рp. 100−101. (Rus.)
Muth, J., Osinsky, A. (2007). Properties of ZnO Alloys”. In the book “Wide Bandgap Light Emitting Ma-terials and Devices. Edited by G.Neumark, I.Kuskovsky, H.Jiang, Wiley-VCH, Рp. 179-204.
Shalimova, K.V. (1985). Physics of semiconductors. M.: Energoatomizdat, P. 392. (Rus.)
Gribkovsky, V.P. (1975). The theory of absorption and emission of light in semiconductors. Minsk: Nauka i technika. (Rus.)
Vavilov, V.S., Nolle, E.L. (1968). Recombination radiation of pure silicon at high excitation levels. FTP, Issue 5, Vol.2, Рp. 742-744. (Rus.)
Govorkov, A.V., Kolesnik, L.I. (1978). Microcathodes Fluorescent investigation of the influence of structural defects on the radiative recombination in gallium arsenide. FTP, Issue 3, Vol.12, Рp.448-452. (Rus.)
Rasul, A., Davidson, S. (1976). A detailed study of radiation and non-radiation recombination around dislocations in GaP. In: Gallium arsenide and related compound (Edinburgh), p.306.
Drozdov, N.A., Patrin, A.A., Tkachev, V.D. (1981). Modification of the dislocation luminescence spec-trum by oxygen atmospheres in silicon. Phys. Stat. sol. (a), Vol. 64, No. 1, Pp. 61-65.
Osipyan, Yu.A., Timofeev, V.B., Schteinman, E.A. (1972). Exciton scattering on dislocations in CdSe crystals” GETF, Issue 1, Vol.62, Pp.272-279. (Rus.)
Newman, R. (1957). Recombination radiation from deformed and alloyed germanium p-n-junction at 80 K. Phys. Rev., Vol. 105, No. 6, Pp.1715-1720.
Gippius, A.A., Vavilov, V.S. (1962). Radiative recombination at dislocations in germanium. FTT, Issue 9, Vol.4, pp.2426-2433. (Rus.)
Gippius A.A., Vavilov V.S. (1964), “Radiative recombination at dislocations in germanium”. FTT, Issue 8, Vol.6, Pp. 2361-2368. (Rus.)
Gippius, A.A., Vavilov, V.S., Goncharov, M.S., Murashev, M.S. (1965). Radiative recombination in germanium crystals with a high density of dislocations. FТТ, Issue 2, Vol.7, Pp.645-647. (Rus.)
Haynes, J. (1960). Experimental proof of the existence of a new electronic complex in silicon. Phys. Rev. Lett., Vol .4, No. 7, Pp.361-363.
Haynes, J.R., Lax, М., Flood, W.F. (1961). The role of excitons in recom¬bination radiation from sili-con. In; Proc. Internat. Conf. on Semiconductor Physics, Prague, Academic Press., Inc., New-York, Pp.423-426.
Van Rusbrek, V., Shokley, V. (1957). Radiative recombination of electrons and holes in germanium. Problemy fiziki poluprovodnikov / ed. by V.L.Bonch-Bruevich, Moscow, Pp.122-127. (Rus.)
Brodіn, M. (2001). Discovery and fermentation studies of molecular excitons. Lviv, Lvіvsky Natsіonalny unіversitet. P. 64. (Ukr.)
